[發明專利]化學增幅型抗蝕劑組合物，抗蝕劑膜，掩模坯，形成圖案及制造電子器件的方法

有效

• 申請號: 201380023929.X
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN104272189B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 土村智孝;高橋孝太郎
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;C07C309/05;C07C309/12;C07C309/17;C07C309/31;C07C381/12;C08F212/14;C09K3/00;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 牛海軍

1.一種化學增幅型抗蝕劑組合物，所述化學增幅型抗蝕劑組合物包含：

(A)包含具有三個以上氟原子的三芳基锍陽離子并且能夠通過活性射線或輻射的照射而生成體積為以上的酸的化合物，其中構成所述化合物(A)的三芳基锍陽離子中的三個芳基中的至少一個芳基的苯環直接連接至所述化合物(A)中包含的三個以上氟原子中的至少一個氟原子；和

(B)包含酚羥基的化合物，其中所述包含酚羥基的化合物包含其中酚羥基的氫原子被包含非酸降解性的具有5至40個碳原子的多環脂環烴結構的基團取代的結構。

2.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(A)的三芳基锍陽離子中的三個芳基的每一個包含一個或多個氟原子。

3.根據權利要求1或2所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(B)是歸因于酸的作用而對堿顯影液的溶解性增大的樹脂。

4.根據權利要求1或2所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，所述化學增幅型抗蝕劑組合物還包含(C)酸交聯性化合物。

5.根據權利要求4所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(C)是在分子中具有兩個以上羥甲基或烷氧基甲基的化合物。

6.根據權利要求1或2所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(B)是包含由下列通式(1)表示的重復單元的樹脂：

[化學式1]

其中，在通式1中，R₁₁表示氫原子、甲基或鹵素原子；

B₁表示單鍵或二價連接基團；

Ar表示芳族環；

m1表示1以上的整數。

7.根據權利要求3所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(B)是包含由下列通式(1)表示的重復單元的樹脂：

[化學式2]

其中，在通式1中，R₁₁表示氫原子、甲基或鹵素原子；

B₁表示單鍵或二價連接基團；

Ar表示芳族環；

m1表示1以上的整數。

8.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述組合物是用于電子束或極紫外曝光的化學增幅型抗蝕劑組合物。

9.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中基于所述化學增幅型抗蝕劑組合物的總固體含量，所述化合物(A)在組合物中的含量為1質量％至40質量％。

10.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述化合物(B)是具有酚羥基的化合物，其具有酚羥基的氫原子被非酸降解性的包含具有7至30個碳原子的多環脂環烴結構的基團取代的結構。

11.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述多環脂環烴結構是具有多個單環脂環烴基的結構。

12.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述多環脂環烴結構是包含多個具有3至8個碳原子的環烷基的結構。

13.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述多環脂環烴結構是具有5以上個碳原子的雙環、三環或四環結構。

14.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述多環脂環烴結構是金剛烷結構、萘烷結構、降莰烷結構、降冰片烯結構、雪松醇結構、具有多個環己基的結構、具有多個環戊基的結構、具有多個環辛基的結構、具有多個環癸基的結構、具有多個環十二烷基的結構或三環癸烷結構。

15.根據權利要求1所述的化學增幅型抗蝕劑組合物，其中所述多環脂環烴結構是金剛烷結構。