[發明專利]半導體晶片的評價方法及半導體晶片的評價裝置

有效

• 申請號: 201380023869.1
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN104272447B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 相良和広
• 申請（專利權）人: 信越半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張永康;李英艷

1.一種半導體晶片的評價方法，其是評價半導體晶片的凹口部的破壞強度的方法，其特征在于，

利用朝向晶片中心，對前述要評價的半導體晶片的凹口部施加荷重來破壞前述半導體晶片的凹口部，以評價該凹口部的破壞強度。

2.如權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其中，通過利用銷按壓前述凹口部，來進行前述荷重的施加。

3.如權利要求1或2所述的半導體晶片的評價方法，其中，利用垂直方向靜荷重的方式或水平方向靜荷重的方式，來進行前述荷重的施加。

4.如權利要求1至3中的任一項所述的半導體晶片的評價方法，其中，由前述要評價的半導體晶片，切出包含前述凹口部的試片，然后通過2片保持治具夾住并保持該試片，并對該保持的試片的前述凹口部施加荷重，以評價前述半導體晶片的凹口部的破壞強度。

5.如權利要求4所述的半導體晶片的評價方法，其中，將前述2片保持治具，制成設置有使前述凹口部的周邊露出的缺口。

6.如權利要求4或5所述的半導體晶片的評價方法，其中，根據包含前述凹口部的試片來評價前述半導體晶片的凹口部的破壞強度，并且，進一步由前述要評價的半導體晶片切出不包含凹口部的試片，并對該不包含凹口部的試片的邊緣部施加荷重，以評價前述半導體晶片的邊緣部的破壞強度，來比較前述凹口部與邊緣部的評價結果。

7.一種半導體晶片的評價裝置，其是評價半導體晶片的凹口部的破壞強度的裝置，其特征在于，

具備對前述要評價的半導體晶片施加荷重的荷重施加手段，該荷重施加手段自前述凹口部朝向晶片中心施加荷重，且可通過該荷重來破壞凹口部。

8.如權利要求7所述的半導體晶片的評價裝置，其中，前述荷重施加手段具有銷，所述銷按壓前述凹口部以施加荷重。

9.如權利要求7或8所述的半導體晶片的評價裝置，其中，前述荷重施加手段為垂直方向靜荷重的方式或水平方向靜荷重的方式。

10.如權利要求7至9中的任一項所述的半導體晶片的評價裝置，其中，前述評價裝置具有2片保持治具，所述2片保持治具夾住并保持由前述要評價的半導體晶片切出的包含前述凹口部的試片。

11.如權利要求10所述的半導體晶片的評價裝置，其中，前述2片保持治具，設置有使前述凹口部的周邊露出的缺口。

12.如權利要求10或11所述的半導體晶片的評價裝置，其中，前述荷重施加手段，進一步可對由前述要評價的半導體晶片切出的不包含前述凹口部的試片的邊緣部施加荷重，且可通過該荷重來破壞邊緣部。