[發明專利]用于清潔電鍍襯底保持器的方法和裝置有效
| 申請號: | 201380023757.6 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104272438B | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發明(設計)人: | 桑托斯·庫馬爾;布萊恩·L·巴卡柳;史蒂芬·T·邁耶;托馬斯·波努司瓦米;查德·邁克爾·霍薩克;羅伯特·拉什;蔡利鵬;大衛·波特 | 申請(專利權)人: | 諾發系統公司 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/288;H01L21/02;C23C18/31 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 清潔 電鍍 襯底 保持 方法 裝置 | ||
1.一種通過去除在先前的電鍍操作中聚集在唇密封件和/或杯底上的金屬沉積物而清潔電鍍設備的所述唇密封件和/或杯底的方法,所述方法包括:
相對于所述唇密封件和/或杯底定位第一噴嘴,以使所述第一噴嘴指向所述唇密封件和/或杯底的內圓邊;
沿第一旋轉方向轉動所述唇密封件和杯底;以及
從所述第一噴嘴分配具有在5米/秒和40米/秒之間的流體速度的清潔溶液流以使所述清潔溶液流在所述唇密封件和/或杯底沿第一旋轉方向轉動時接觸所述唇密封件和/或杯底的內圓邊,從而從所述唇密封件和/或杯底去除金屬沉積物。
2.如權利要求1所述的方法,其中,所述清潔溶液流的流體速度在10米/秒和25米/秒之間。
3.如權利要求1所述的方法,其中,當分配清潔溶液流時在所述第一噴嘴內的流體壓力在20PSI和100PSI之間。
4.如權利要求1所述的方法,還包括當分配所述清潔溶液流時抬高和/或降低所述唇密封件和杯底,從而改變所述清潔溶液與所述唇密封件和/或杯底的內圓邊接觸的面積。
5.如權利要求1所述的方法,還包括在分配清潔溶液流時改變所述第一噴嘴的取向,從而改變所述清潔溶液與所述唇密封件和/或杯底的內圓邊的沖擊角。
6.如權利要求1-5中任一項所述的方法,其中,所述金屬沉積物包括錫銀合金。
7.如權利要求1-5中任一項所述的方法,其中,所述清潔溶液是蒸餾和去離子水。
8.如權利要求1-5中任一項所述的方法,其中,所述清潔溶液包括蒸餾和去離子水、從聚乙二醇和聚丙二醇中選擇的表面張力降低劑,并無酸。
9.如權利要求1-5中任一項所述的方法,還包括:
相對于所述唇密封件和/或杯底定位第二噴嘴,以使所述第二噴嘴指向所述唇密封件和/或杯底的內圓邊;以及
從所述第二噴嘴分配具有在5米/秒和40米/秒之間的流體速度的清潔溶液流以使所述清潔溶液流在所述唇密封件和/或杯底轉動時接觸所述唇密封件和/或杯底的內圓邊,從而從所述唇密封件和/或杯底去除金屬沉積物。
10.如權利要求9所述的方法,還包括沿與所述第一旋轉方向相反的第二旋轉方向轉動所述唇密封件和杯底,其中從所述第一噴嘴分配的所述清潔溶液流具有與所述第一旋轉方向相反的速度分量并且從所述第二噴嘴分配的所述清潔溶液流具有與所述第二旋轉方向相反的速度分量。
11.如權利要求1-5中任一項所述的方法,其中,從所述第一噴嘴分配的所述清潔溶液流具有與第一旋轉方向相反的速度分量。
12.如權利要求11所述的方法,其中,所述第一噴嘴相對于所述唇密封件和/或杯底的內圓邊定向在-45°和+45°之間的法向角。
13.如權利要求12所述的方法,其中,所述第一噴嘴相對于所述唇密封件和/或杯底的水平平面定向在-30°和+10°之間的水平角。
14.如權利要求13所述的方法,其中,所述第一噴嘴尖部被定位在離所述唇密封件和杯底的內圓邊的最近點在2mm至50mm之間的距離處。
15.如權利要求14所述的方法,其中,所述第一噴嘴尖部被定位在離所述唇密封件和杯底的內圓邊的最近點在2mm至10mm之間的距離處。
16.如權利要求13所述的方法,其中,從所述第一噴嘴分配的所述清潔溶液流的流率在250ml/分鐘和750ml/分鐘之間。
17.如權利要求1-5中任一項所述的方法,進一步包括當從所述第一噴嘴分配清潔溶液時在所述第一噴嘴中的所述清潔溶液中產生兆聲波。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





