[發(fā)明專利]用于形成光電子裝置的技術(shù)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380023625.3
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN104272436A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗蘭喬斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆
• 申請（專利權(quán)）人: 硅源公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種方法，包括：

設(shè)置工件，所述工件支撐額外材料的層；

引入多個粒子通過所述額外材料，以在所述工件內(nèi)形成劈裂區(qū)域；

施加能量，以從所述工件的剩余部分劈下分離厚度的包括額外材料的所述層的工件材料；

處理額外材料的所述層；以及

將額外材料的所述層結(jié)合至基板，所述基板的熱膨脹系數(shù)約等于額外材料的所述層的熱膨脹系數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，額外材料的所述層在一溫度下形成在所述工件的頂部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，額外材料的所述層與所述工件材料之間的失配形成了低于足以在額外材料的所述層內(nèi)成核并且傳播缺陷的閾值的應(yīng)力水平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，處理額外材料的所述層包括減輕額外材料的所述層中的應(yīng)力水平。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，減輕所述應(yīng)力水平包括去除工件材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述去除工件材料包括蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，減輕應(yīng)力水平包括將額外材料的所述層結(jié)合至張力減輕基板(SRS)，然后，改變所述張力減輕基板的特性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述張力減輕基板包括壓電材料，并且改變所述特性包括改變所述壓電材料的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述張力減輕基板包括結(jié)合至額外材料的表面，并且改變所述特性包括將所述表面從固態(tài)變成液態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)置所述工件包括設(shè)置支撐GaN作為額外材料的所述層的單晶硅工件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，設(shè)置所述單晶硅工件包括設(shè)置(111)單晶硅工件。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述GaN的額外層包括在約700-900℃之間的溫度下由低溫外延生長處理形成的厚度在約0.1-1μm之間的層。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述GaN的額外層包括厚度等于或低于臨界厚度的層，在電子材料雜志第30卷第7號第821-824(2001)頁的作者為Jothilingam等人的“A?Study?of?Cracking?in?GaN?Grown?on?Silicon?by?Molecular?Beam?Epitaxy”的圖1中指出了所述臨界厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述結(jié)合包括在額外材料的所述層與基板之間能釋放地結(jié)合。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述能釋放地結(jié)合基于額外材料的所述層的表面粗糙度和/或所述基板的表面粗糙度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，工件材料的所述分離厚度在約10-100μm之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)置所述工件包括設(shè)置支撐GaN作為額外材料的所述層的硅或藍寶石工件。

18.一種用于光電子裝置的形成的工件，所述工件包括：

晶體材料的層，具有與半導體材料的覆蓋膜的形成兼容的晶格常數(shù)；以及

基板，結(jié)合至與晶體材料的所述層的第二表面相反的材料的所述層的第一表面，半導體材料的所述覆蓋膜將形成在所述第二表面上，所述基板的熱膨脹系數(shù)約等于晶體材料的所述層的熱膨脹系數(shù)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的工件，其中，晶體材料的所述層展示了低于足以在所述晶體材料內(nèi)成核并且傳播缺陷的閾值的應(yīng)力水平。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的工件，其中，所述基板與晶體材料的所述層之間的失配形成了不足以生成超過約1×10⁴個缺陷/cm²的所述應(yīng)力水平。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的工件，其中，所述基板與晶體材料的所述層之間的失配形成了不足以生成超過1×10⁶個缺陷/cm²的應(yīng)力水平。

22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的工件，其中，晶體材料的所述層包括非熱應(yīng)力減輕材料。