[發明專利]具有涂層的結構化表面

在審

• 申請號: 201380023432.8
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN104272484A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: G.阿馬拉藤加;Y.喬伊;S.希弗雷迪;N.布朗;C.科利斯
• 申請（專利權）人: 戴森技術有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01G4/012;H01G4/10;H01G4/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳钘

1.一種涂覆結構化表面的方法，包括以下步驟：

(a)提供第一涂層材料的納米顆粒；

(b)將所述納米顆粒通過使用電泳沉積而沉積在結構化表面上；和

(c)將第二涂層沉積在所述第一涂層材料上。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述結構化表面包括一個或多個碳納米管。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述結構化表面包括碳納米管的陣列。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述碳納米管的陣列為隨機陣列。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述涂層材料是介電材料。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述涂層材料是鈦酸鋇。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述鈦酸鋇顆粒的直徑大約為20nm。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述第二涂層通過使用原子層沉積過程而被沉積。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述第二涂層是氧化鉿涂層。

10.如權利要求8所述的方法，其中所述第二涂層通過使用物理層沉積過程而被沉積。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述第二涂層是鈦酸鋇涂層。

12.一種包括具有涂層的結構化表面的電容器，所述具有涂層的結構化表面使用根據前述任一權利要求的方法制造。

13.一種制造電容器的方法,所述電容器具有電極，該電極具有結構化表面，所述方法包括以下步驟：

(a)提供包括結構化表面的第一電極；

(b)將介電材料的納米顆粒通過使用電泳沉積沉積在所述結構化表面上以產生具有涂層的結構化表面；

(c)將第二涂層沉積在所述具有涂層的結構化表面上；和

(d)將具有導電材料的第二電極沉積在所述具有涂層的結構化表面上。

14.如權利要求13的方法，其中所述介電材料是鈦酸鋇。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述鈦酸鋇納米顆粒的直徑大約為20nm。

16.如權利要求13到15中任一項所述的方法，其中所述第二涂層通過使用原子層沉積而被沉積。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述第二涂層是氧化鉿。

18.如權利要求13到16中任一項所述的方法，其中所述第二涂層通過使用物理層沉積而被沉積。

19.如權利要求18所述的方法，其中所述第二涂層是鈦酸鋇。

20.如權利要求13到19中任一項所述的方法，其中所述第二電極通過導電材料的蒸發而被沉積。

21.一種電容器，包括：

具有結構化材料的第一電極；

具有導電材料的第二電極；和

形成在所述第一和第二電極之間的介電層，其中所述介電層包括第一層和第二層。

22.如權利要求21所述的電容器，其中所述介電層通過使用電泳沉積而形成。

23.如權利要求21所述的電容器，其中所述介電層是鈦酸鋇。

24.如權利要求21到23中任一項所述的電容器，其中所述結構化材料包括一個或多個碳納米管。

25.如權利要求21到24中任一項所述的電容器，其中所述第一層是鈦酸鋇。

26.如權利要求21到25中任一項所述的電容器，其中所述第二層是氧化鉿。

27.如權利要求21到26中任一項所述的電容器，其中所述第二電極由鋁或鎵銦錫合金形成。