[發明專利]粘晶裝置以及利用粘晶裝置的半導體晶粒的破損檢測方法

有效

• 申請號: 201380023188.5
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104937702B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 豊川雄也
• 申請（專利權）人: 株式會社新川
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張洋

1.一種利用粘晶裝置的半導體晶粒的破損檢測方法，包括：

圖像獲取步驟，對整體圖像進行攝像，所述整體圖像包括吸附所述半導體晶粒的夾頭的吸附面圖像及吸附于所述夾頭的所述半導體晶粒的圖像；

圖像區域劃定步驟，基于所述夾頭的吸附面圖像與所述半導體晶粒的圖像的明度差、及所述半導體晶粒的基準圖像，來劃定所述整體圖像中的所述半導體晶粒的圖像區域；以及

半導體晶粒的破損檢測步驟，對藉由所述圖像區域劃定步驟而劃定的所述圖像區域內進行掃描，在掃描方向上的明度的變化比例為規定的臨限值以上的情況下，判斷為所述半導體晶粒的破損，所述破損檢測步驟將藉由所述圖像區域劃定步驟而劃定的所述半導體晶粒的所述圖像區域的除周圍外的內側部分設定為檢查區域，并對所述檢查區域內進行掃描。