[發(fā)明專利]包含錯誤校正碼組織的設(shè)備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380023047.3 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN104272396A | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 威廉·亨利·拉德克 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C29/42 | 分類號: | G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 孫寶成 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包含 錯誤 校正 組織 設(shè)備 方法 | ||
1.一種設(shè)備,其包括:
第一存儲器單元;
第一存取線,其經(jīng)配置以存取所述第一存儲器單元;
第二存儲器單元;
第二存取線,其經(jīng)配置以存取所述第二存儲器單元;以及
控制器,其用以導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器單元的第一存儲器部分中、導(dǎo)致與所述數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正碼的第一部分存儲在所述第一存儲器單元的第二存儲器部分中和導(dǎo)致所述錯誤校正碼的第二部分存儲在所述第二存儲器單元中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述控制器經(jīng)進一步配置以導(dǎo)致額外數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲器單元的第一存儲器部分中和導(dǎo)致所述錯誤校正碼的所述第二部分存儲在所述第二存儲器單元的第三存儲器部分中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述控制器經(jīng)進一步配置以導(dǎo)致與所述額外數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正碼的至少一部分存儲在所述第二存儲器單元的第二存儲器部分中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中所述控制器經(jīng)進一步配置以導(dǎo)致與所述數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述錯誤校正碼的額外部分存儲在所述第一存儲器單元的第三存儲器部分中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一存取線定位成緊鄰于所述第二存取線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一存儲器單元位于所述設(shè)備的裝置的第一層級上,且所述第二存儲器單元位于所述設(shè)備的所述裝置的第二層級上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述控制器包含經(jīng)配置以產(chǎn)生所述錯誤校正碼的所述第一和第二部分的錯誤校正碼產(chǎn)生器,所述錯誤校正碼產(chǎn)生器位于所述設(shè)備的第一裝置上,且所述第一和第二存儲器單元位于所述設(shè)備的第二裝置上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述第一裝置包括存儲器控制器,且所述第二裝置包括存儲器裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述控制器包含經(jīng)配置以產(chǎn)生所述錯誤校正碼的所述第一和第二部分的錯誤校正碼產(chǎn)生器,所述錯誤校正碼產(chǎn)生器位于所述設(shè)備的第一半導(dǎo)體裸片上,且所述第一和第二存儲器單元位于所述設(shè)備的第二半導(dǎo)體裸片上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一存儲器部分包含所述第一存儲器單元中的第一數(shù)目個存儲器單元,所述第二存儲器部分包含所述第一存儲器單元中的第二數(shù)目個存儲器單元,其中存儲器單元的所述第一及第二數(shù)目不相等。
11.一種設(shè)備,其包括:
第一存儲器單元;
第一存取線,其經(jīng)配置以存取所述第一存儲器單元;
第二存儲器單元;以及
第二存取線,其經(jīng)配置以存取所述第二存儲器單元;以及控制器,其經(jīng)配置以導(dǎo)致第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器單元中、導(dǎo)致第二數(shù)據(jù)和第三數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲器單元的第一存儲器部分中、導(dǎo)致與所述第二數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正碼和與所述第三數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正碼的第一部分存儲在所述第二存儲器單元的第二存儲器部分中和導(dǎo)致與所述第一數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正碼的一部分和與所述第三數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述錯誤校正碼的第二部分存儲在所述第二存儲器單元的第三存儲器部分中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)包含相同數(shù)目個位。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述第三存儲器部分中的存儲器單元的數(shù)目小于在所述第二存儲器部分中的存儲器單元的數(shù)目。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述第三存儲器部分中的存儲器單元的數(shù)目等于所述第二存儲器部分中的存儲器單元的數(shù)目的三分之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述第一、第二和第三存儲器部分包含在所述設(shè)備的相同裝置中。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述第一存儲器單元定位成緊鄰于所述第二存儲器單元。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美光科技公司,未經(jīng)美光科技公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380023047.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:改良式揚聲器音箱
- 下一篇:具有低摩擦涂層的玻璃制品





