[發(fā)明專利]可編程邏輯器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380022919.4 | 申請日： | 2013-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN104247268B | 公開（公告）日： | 2016-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黑川義元 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H03K19/177 | 分類號： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可編程 邏輯 器件 | ||
1.?一種半導(dǎo)體裝置，包括：
開關(guān)；以及
第一可編程邏輯元件和第二可編程邏輯元件,
其中，所述開關(guān)包括：
第二布線；以及
多個電路組，
所述多個電路組各包括：
第一布線；
第一晶體管,其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第一布線且所述第一晶體管的源極電連接到所述第二布線；以及
第二晶體管，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第一晶體管的漏極，
所述多個電路組的所述第二晶體管的源極彼此電連接，
所述多個電路組的所述第二晶體管的漏極彼此電連接，
所述第一可編程邏輯元件電連接到所述多個電路組的所述第二晶體管的所述源極，
并且，所述第二可編程邏輯元件電連接到所述多個電路組的所述第二晶體管的所述漏極。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述多個電路組還各包括電容器和第三布線，
并且，所述電容器的一個電極電連接到所述第二晶體管的所述柵極且所述電容器的另一個電極電連接到所述第三布線。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一晶體管在溝道形成區(qū)中含有氧化物半導(dǎo)體，
并且，所述第二晶體管在溝道形成區(qū)中含有硅。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述多個電路組的個數(shù)為2。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第二晶體管是p溝道晶體管。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第三晶體管，
其中，所述第三晶體管的源極電連接到所述多個電路組的所述第二晶體管的所述源極，
并且，所述第三晶體管的漏極電連接到所述多個電路組的所述第二晶體管的所述漏極。
7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一晶體管位于所述第二晶體管的上方。
8.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
9.?一種半導(dǎo)體裝置，包括：
開關(guān)；以及
第一可編程邏輯元件和第二可編程邏輯元件,
其中，所述開關(guān)包括：
第二布線；以及
多個電路組，
所述多個電路組各包括：
第一布線以及第三布線；
第一晶體管，其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第一布線且所述第一晶體管的源極電連接到所述第二布線；
第二晶體管，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第一晶體管的漏極；以及
第三晶體管，其中所述第三晶體管的源極電連接到所述第二晶體管的漏極且所述第三晶體管的柵極電連接到所述第三布線，
所述多個電路組的所述第二晶體管的源極彼此電連接，
所述多個電路組的所述第三晶體管的漏極彼此電連接，
所述第一可編程邏輯元件電連接到所述多個電路組的所述第二晶體管的所述源極，
并且，所述第二可編程邏輯元件電連接到所述多個電路組的所述第三晶體管的所述漏極。
10.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一晶體管在溝道形成區(qū)中含有氧化物半導(dǎo)體，
并且，所述第二晶體管及所述第三晶體管在溝道形成區(qū)中含有硅。
11.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述多個電路組的個數(shù)為2。
12.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第二晶體管及所述第三晶體管都是p溝道晶體管。
13.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一晶體管位于所述第二晶體管的上方。
14.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
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