[發明專利]用刻蝕步驟P3和可選的步驟P1制造光伏組件的方法在審
| 申請號: | 201380022892.9 | 申請日: | 2013-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN104272458A | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發明(設計)人: | 尼古拉斯·卡斯特;查爾斯·羅杰 | 申請(專利權)人: | 原子能和替代能源委員會 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚開麗 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕 步驟 p3 可選 p1 制造 組件 方法 | ||
1.一種制造用于獲得包括多個太陽能電池的光伏組件的中間產品的方法,該方法包括以下步驟:
(a)在基板(4)上局部化地沉積金屬層(8),以覆蓋所述基板的至少一部分(401),
(b)在該局部化層(8)上沉積導電材料的層(41),該層涂覆了所述局部化層(8)。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在步驟(a)期間,在所述基板(4)上還局部沉積Se型或S型材料的層(7),以覆蓋所述基板的與被金屬覆蓋的所述至少一部分(401)不同的至少一部分(400)。
3.一種獲得包括多個薄層結構的太陽能電池的光伏組件的方法,所述光伏組件依次包括:基板(4)、背面電極(41)、對金屬前體進行退火所獲得的光伏層(46)以及半導體層(43),其中:
按照權利要求1所述的方法制造中間產品,導電材料的層(41)形成了所述背面電極;并且
在獲得所述光伏層(46)的所述退火完成后,在所述光伏層中形成了相比于所述光伏層的其余部分導電率更大的區域(460)。
4.根據權利要求3所述的方法,其中:
按照權利要求2所述的方法制造所述中間產品;
進行另一退火步驟,所述另一退火步驟改變了Se型或S型材料的所述局部化層(7),以在所述背面電極(41)中形成相比于所述背面電極的其余部分電阻率更大的區域(71、410、461),該區域確保了所述光伏組件的兩個相鄰電池之間的電絕緣。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,在獲得所述光伏層(46)之前,以小于或等于1℃/s的升溫梯度并且在225℃至300℃的溫度下,進行另一退火步驟達1分鐘至5分鐘的持續時間,所述背面電極的所述區域(71)由所述導電材料與Se或S反應所產生的材料形成。
6.根據權利要求4所述的方法,其中,在獲得所述光伏層(46)之前,在400℃至650℃的溫度下,以嚴格大于1℃/s并可能高達15℃/s的升溫梯度進行所述退火步驟。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述區域(410)由光伏材料形成。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,所述區域(461)是凹槽。
9.一種包括在共用基板上串聯連接的多個太陽能電池的光伏組件,每個電池包括:正面電極(45),所述正面電極是透光的;和背面電極(41),由光伏層(46)和半導體層(43)使所述背面電極與所述正面電極隔開,使得所述背面電極與所述光伏層能夠形成pn結,其中,通過在所述光伏層中形成的由導電材料制成的區域(460),使一個電池(5)的正面電極(45a)電連接相鄰電池(6)的背面電極(41b)。
10.根據權利要求9所述的光伏組件,在所述背面電極(41)中并且在兩個相鄰的電池(5、6)之間,所述光伏組件還包括相比于所述背面電極的其余部分電阻率更大的區域(71、410、461),該區域使所述兩個相鄰的電池的背面電極(41a、41b)電絕緣。
11.根據權利要求10所述的光伏組件,其中,電阻率更大的所述區域(71)由所述背面電極的導電材料與選自Se和S的元素反應所產生的材料形成。
12.根據權利要求10所述的光伏組件,其中,電阻率更大的所述區域(410)由光伏材料形成。
13.根據權利要求10所述的光伏組件,其中,電阻率更大的所述區域(461)是凹槽。
14.一種用于獲得根據權利要求9所述的光伏組件的中間產品,所述中間產品在基板(4)上依次包括:局部化金屬層(8)和覆蓋該局部化層的導電材料的層(41)。
15.一種用于獲得根據權利要求10至13中任意一項所述的光伏組件的中間產品,所述中間產品在所述基板(4)上還包括:與所述局部化金屬層(8)不同的Se型或S型材料的局部化層(7)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





