[發(fā)明專利]等離子體蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380022766.3
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN104285282B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 竹田諒平;戶村光宏;北村彰規(guī);東堤慎司;大竹浩人;塚本剛史
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體蝕刻方法，其利用半導體制造裝置對摻雜有硼的無定形碳進行蝕刻，該等離子體蝕刻方法的特征在于：

所述半導體制造裝置包括：

形成處理空間的處理容器；

載置被處理體的載置臺；

產(chǎn)生等離子體激發(fā)用的能量的能量產(chǎn)生源；和

向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部，

在該等離子體蝕刻方法中，對摻雜有硼的無定形碳使用氯氣和氧氣的混合氣體的等離子體，生成作為含有硼的化合物的三氯化硼，并生成碳與氯結(jié)合而得到的四氯化碳，并且將所述載置臺的溫度設定為100℃以上，

所述等離子體蝕刻方法至少包括開始蝕刻的第一步驟和在該第一步驟之后實施的第二步驟，

在所述第一步驟中，使從所述氣體供給部供給的所述氧氣的供給量為第一供給量，

在所述第二步驟中，使從所述氣體供給部供給的所述氧氣的供給量為比所述第一供給量少的第二供給量，

在所述第一步驟中，使所述處理容器內(nèi)的壓力為第一壓力，

在所述第二步驟中，使所述處理容器內(nèi)的壓力為比所述第一壓力高的第二壓力。

2.如權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述載置臺的溫度為100℃～350℃。

3.如權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述能量產(chǎn)生源包括：

產(chǎn)生微波的微波發(fā)生器；和

與所述載置臺連接，產(chǎn)生高頻偏置電力的高頻電源，

使所述微波發(fā)生器的電力為3000～4000W，

使所述高頻電源的電力為300～800W。

4.如權利要求3所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述微波從徑向線隙縫天線向所述處理容器內(nèi)輻射。

5.如權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述能量產(chǎn)生源包括：

將第一高頻電力施加到下部電極的第一高頻電源；和

將頻率比所述第一高頻電力低的第二高頻電力施加到所述下部電極的第二高頻電源，

使所述第一高頻電力為1000W以上，

使所述第二高頻電力為400W以上。