[發(fā)明專利]在讀出電子器件和/或光傳感器中具有抗混疊濾波器的成像探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380022615.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-04-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104285297B | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·A·查波;R·P·盧赫塔 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,劉炳勝 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 讀出 電子器件 傳感器 具有 抗混疊 濾波器 成像 探測(cè)器 | ||
1.一種成像裝置(400)，包括：
探測(cè)器陣列(412)，其具有至少一個(gè)探測(cè)器片塊(418)，所述探測(cè)器片塊包括：
光傳感器陣列(422)，其具有定位于非光敏感區(qū)(426)內(nèi)的個(gè)體光敏感探測(cè)器像素(424)的二維陣列；
讀出電子器件(432)，其耦合到所述光傳感器陣列并且包括分別針對(duì)所述個(gè)體光敏感探測(cè)器像素中的每個(gè)的個(gè)體讀出溝道阱(602、604)；以及
針對(duì)探測(cè)器像素的抗混疊濾波器(800)，所述抗混疊濾波器(800)定位于所述探測(cè)器像素的所述個(gè)體讀出溝道阱的區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器的幾何結(jié)構(gòu)近似等于或小于探測(cè)器像素的幾何結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述讀出電子器件的幾何結(jié)構(gòu)近似等于或小于所述探測(cè)器像素的幾何結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述讀出電子器件包括：
多個(gè)金屬層(802)，其中，所述抗混疊濾波器定位于所述讀出電子器件的所述多個(gè)金屬層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器定位于對(duì)應(yīng)的讀出溝道阱中。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器包括兩個(gè)電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器包括由絕緣體分隔的兩個(gè)導(dǎo)電電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置，其中，所述兩個(gè)導(dǎo)電電極中的每個(gè)的大約十分之一形成所述電容器中的一個(gè)電容器，并且所述兩個(gè)導(dǎo)電電極中的每個(gè)的大約十分之九形成所述電容器中的另一個(gè)電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述光傳感器陣列是硅光傳感器陣列并且所述讀出電子器件是硅集成電路的一部分，并且所述硅集成電路與所述光傳感器陣列通過硅-硅接合而被接合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述光傳感器陣列包括背照射光電二極管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述光傳感器陣列包括前照射光電二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述讀出電子器件和所述光傳感器陣列包括通過共價(jià)接合而接合到一起的硅基板。
13.一種成像裝置(400)，包括：
探測(cè)器陣列(412)，其具有至少一個(gè)探測(cè)器片塊(418)，所述探測(cè)器片塊包括：
光傳感器陣列(422)，其具有定位于非光敏感區(qū)(426)內(nèi)的個(gè)體光敏感探測(cè)器像素(424)的二維陣列，其中所述光傳感器陣列包括多個(gè)金屬層(810)；
讀出電子器件(432)，其耦合到所述光傳感器陣列并且包括分別針對(duì)所述個(gè)體光敏感探測(cè)器像素中的每個(gè)的個(gè)體讀出溝道阱(602、604)；以及
針對(duì)探測(cè)器像素的抗混疊濾波器(800)，所述抗混疊濾波器(800)定位于所述光傳感器陣列的所述多個(gè)金屬層中。
14.一種成像方法，包括：
通過定位于讀出電子器件中的抗混疊濾波器，將探測(cè)器像素的輸出信號(hào)路由到對(duì)應(yīng)于所述探測(cè)器像素的所述讀出電子器件，所述探測(cè)器像素是成像探測(cè)器的光傳感器陣列中的多個(gè)探測(cè)器像素中的一個(gè)，其中，所述探測(cè)器像素的所述讀出電子器件定位于對(duì)應(yīng)于所述探測(cè)器像素的阱中；并且
利用讀出電子器件來處理所述信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的成像方法，其中，所述抗混疊濾波器定位于所述對(duì)應(yīng)于所述探測(cè)器像素的阱中。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
