[發(fā)明專利]具有金屬微線的電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380022440.0
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN104321727B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R.S.科克;T.R.奧圖爾
• 申請（專利權(quán)）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044;G06F3/045
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李湘,張懿

1.一種電子裝置，包括：

支承體，其對550nm的光具有高于80%的透射率；以及

透明導體區(qū)，其設(shè)置在所述支承體的一側(cè)的至少一部分之上，其中，所述透明導體區(qū)包括：

???????第一導電金屬微線，其以第一微圖案設(shè)置在第一位置中，所述第一導電金屬微線具有在0.5μm至20μm的范圍內(nèi)的寬度和第一高度；

???????第二導電金屬微線，其以第二微圖案設(shè)置在不同于所述第一位置的第二位置中，所述第二導電金屬微線具有低于所述第一高度的第二高度和在0.5μm至20μm的范圍內(nèi)的寬度，所述第二導電金屬微線與所述第一導電金屬微線電接觸；并且

???????其中，所述第一和第二金屬微線占據(jù)低于所述透明導體區(qū)的15%的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一金屬微線層具有金屬雙層結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述透明導體層至少包括第一和第二層，并且其中所述第一金屬微線形成在所述第一層中，并且所述第二金屬微線形成在所述第一和第二層二者中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述第一層比所述第二層靠近所述支承體。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述第二層比所述第一層靠近所述支承體。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述第一和第二層還包括粘合劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中，所述粘合劑為明膠，并且所述第一和第二金屬微線包括銀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，還包括各自形成具有一定長度和寬度的透明電極的多個透明導體區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置，其中，所述透明電極的所述寬度沿著所述透明電極的所述長度方向改變，以形成寬的和窄的透明電極區(qū)，并且其中所述第一金屬微線設(shè)置在所述寬的透明電極區(qū)中，并且所述第二金屬微線設(shè)置在所述窄的透明電極區(qū)中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一微圖案與所述第二微圖案相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一微圖案不同于所述第二微圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第二高度比所述第一高度至少高30%。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第二微線具有比所述第一微線高的導電率。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述金屬微線占據(jù)低于或等于所述透明導體區(qū)的面積的10%的區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述透明導體區(qū)對550nm的光具有高于80%的透射率的透明度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述支承體與所述透明導體的復合透明度在450至650nm的波長范圍內(nèi)高于80%。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一導電金屬微線電連接設(shè)置在兩個不同的第二位置中的第二導電金屬微線。

18.透明導體設(shè)備，包括：

透明支承體，其具有第一透明導體區(qū)和不同于所述第一透明導體區(qū)的第二透明導體區(qū)；

多根電連接的第一微線和多根電連接的第二微線，所述多根電連接的第一微線在所述第一透明導體區(qū)中的微線層中形成在所述透明基板上，并且所述多根電連接的第二微線在電連接至所述第一微線的所述第二透明導體區(qū)中的微線層中形成在所述透明基板上；并且

其中，所述第一微線的至少一部分的高度高于所述第二微線的至少一部分的高度。