[發明專利]高分辨率顯示器的構造有效
| 申請號: | 201380022342.7 | 申請日: | 2013-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN104254915B | 公開(公告)日: | 2019-08-16 |
| 發明(設計)人: | 戈爾拉瑪瑞扎·恰吉 | 申請(專利權)人: | 伊格尼斯創新公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 加拿大*** | 國省代碼: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高分辨率 顯示器 構造 | ||
本發明提供了一種高分辨率有源矩陣顯示器的布置,其包括分別被沉積于連續區域中的不同顏色的有機發光層,從而包括不止一個的像素發光區域。彩色濾光片被安置成部分地遮擋來自所述發光區域中的至少一些發光區域的光,以使得加色法原色從不同的像素子集透射出來。所述發光層可以以交替的平行帶的方式沿著所述顯示器的行或列而被沉積,或者所述發光層可以被取向為相對于彼此而垂直以使得所述發光層在至少一些像素的所述發光區域中重疊。在一些示例中,紅色、綠色和藍色像素以規律性圖案被布置于所述顯示器中,且所述藍色像素的所述發光區域形成所述顯示器的比所述紅色像素或所述綠色像素任一者相對更大的區域。
技術領域
本發明一般地涉及通過在基板上可控地沉積材料而被形成的平板顯示器以及用于制造這樣的顯示器的系統和方法,并且更具體地涉及其中通過遮蔽掩模板(shadowmask)而將發光層沉積于顯示基板上的有機發光二極管顯示器。
背景技術
顯示器能夠利用有機發光器件(“OLED”:organic light emitting device)的陣列而被創造出來,各所述有機發光器件分別被單獨的電路(即,像素電路)控制著,所述電路具有如下的晶體管:該晶體管用于有選擇地控制所述電路以使所述電路利用顯示信息而被編程并且發出與所述顯示信息對應的光。制備于基板上的薄膜晶體管(“TFT”:Thin filmtransistor)能夠被并入到這樣的像素電路中。
一般地,這樣的像素電路包括驅動晶體管,該驅動晶體管將電流輸送經過有機發光層。因為沿相反方向穿過發光層的空穴和電子的復合而在該發光層內生成了光。因而,所發出的光的強度是由流過發光層的電流量來控制的,并且所發出的光的顏色是由在復合事件的期間內所允許的能級躍遷來決定的,這是被挑選作為發光層的特殊有機材料的功能。此外,經過發光層的電流是由被施加給驅動晶體管的電壓來控制的,這一(這些)電壓調節該驅動晶體管的溝道區域的導電性從而控制經過發光層的電流大小(和發光)。
彩色顯示器是通過利用大致為三分之一的發紅光的像素、三分之一的發綠光的像素和三分之一的發藍光的像素來布置顯示器而被創造出來的,每組三個像素形成了由被獨立編程的三個子像素構成的RGB像素組。通過編程各RGB像素組以使它們發出與通過將RGB內容添加進來而創建的各位置的所期望顏色對應的光,就顯示出顏色內容。對RGB像素的設置能夠通過如下方式來實現,即:利用分別生成紅光、綠光和藍光的發光層,并且使適當的發光層在所期望像素電路的發光區域中圖案化從而創建出所期望的RGB圖案。
因此,制造這樣的顯示器就需要精確地將各個發光層圖案化,以致于使適當的發光材料位于各個像素的正確的發光區域中。采用由薄金屬形成的遮蔽掩模板來遮蔽不想要發光材料的區域,與此同時發光材料通過該遮蔽掩模板而被沉積在顯示器上。因此,遮蔽掩模板具有與所有的紅色像素的發光區域對應的孔的圖案,且該遮蔽掩模板被對準以便上述這些孔與紅色像素一致并且紅色發光材料被沉積。然后,可以移動該遮蔽掩模板(或者可以放置另一個遮蔽掩模板)以便各孔與綠色像素對準并且綠色發光材料被沉積,以此類推。對于非常高的像素分辨率(即,小的像素尺寸),遮蔽掩模板中的孔必須變得非常小,并且上述過程的精度會受到發光層中的不均勻性和難以使小孔精確對準的影響。
在其他的示例中,彩色顯示器能由白色發光層形成,這些白色發光層被過濾以允許特定顏色透射過去。也就是說,生成白光(它本身是紅色、綠色和藍色的組合)的發光層可以被設置于所有像素的發光層中。彩色濾光片被布置于與特定像素相關的顯示基板上,以使得紅光、綠光和藍光根據所期望的RGB圖案而從顯示器中透射出來。過濾每種顏色會浪費許多電力,這是因為許多所生成的光能被簡單地過濾掉了,而只有一小部分被透射從而對所顯示的顏色內容有貢獻。
發明內容
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





