[發明專利]壓力傳感器的生產方法和相應的傳感器

有效

• 申請號: 201380022007.7
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN104508447B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: S·布里達;J-F·勒尼爾
• 申請（專利權）人: 奧謝陶爾公司;國家科學研究中心
• 主分類號: G01L9/00
• 分類號: G01L9/00;G01L9/04;G01L9/06;G01L19/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種壓力傳感器的制造方法，包括以下步驟：

提供支撐基片，所述支撐基片包括上表面、下表面、側部凹陷以及中央凹陷；

提供上面已沉積應變儀的可變形膜，所述可變形膜包括在其中央的變薄區；

將支撐基片與可變形膜裝配，以獲得微機械結構，其中，支撐基片布置在可變形膜上面，支撐基片的下表面接觸可變形膜，支撐基片的側部凹陷布置在應變儀上，并且支撐基片的中央凹陷布置在可變形膜的變薄區上；

以及，在裝配結束后的所述方法包括的下述步驟：

在一個單一步驟中，在所述支撐基片的所述上表面上和所述支撐基片的所述側部凹陷中沉積至少一種導電材料，所述導電材料延伸到凹陷(11)中，從而與所述應變儀相接觸以形成與所述應變儀(30)聯接的電觸頭。

2.根據權利要求1所述的方法，包括，在裝配完成之后，并且在至少一種導電材料的單一沉積步驟之前的，在每個側部凹陷中的至少一個擴散阻擋層的沉積步驟，所述擴散阻擋層與相應的應變儀相接觸。

3.根據以上權利要求中任一項所述的方法，包括通過與3D熱層壓技術相關聯的光刻法或通過磨碎強拓撲表面的涂層法執行的形成幾個電觸頭的步驟。

4.根據權利要求1所述的方法，其中導電材料選自：超摻雜多晶硅、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Αl、Τi、ΤiΝ。

5.根據權利要求1所述的方法，其中膜由硅制成，并且：

-所述支撐基片由玻璃制成，所述裝配(E1)包括陽極密封；或者

-所述支撐基片由硅制成，所述裝配包括通過具有或不具有中間層的分子或原子鍵，或通過釬焊進行密封。

6.根據權利要求1所述的方法，其中膜由基片形成，例如由諸如SOI或PSOI的單晶硅、諸如SOS的藍寶石或諸如SiCOI或SiC的其他材料構成。

7.根據權利要求1所述的方法，包括由以下操作組成的步驟：

-將所述支撐基片整合到包括由導電材料制成的電觸頭的殼體中；所述支撐基片通過在所述支撐基片上形成的連接件整合到所述殼體中。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述支撐基片整合到所述殼體中是通過熱壓方法實現的。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述熱壓方法是在250℃與500℃之間的溫度下，10Mpa與200Mpa之間的壓力下執行的。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述熱壓方法是在320℃的溫度下，50MPa的壓力下執行的。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述殼體(80)的所述電觸頭由以下材料制成：超摻雜多晶硅、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Αl、Τi、ΤiΝ。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述支撐基片整合到殼體中是通過倒裝芯片技術執行的。

13.一種通過根據權利要求1所述的方法得到的壓力傳感器。