[發明專利]用于類似銅銦亞鹽酸太陽能電池的光伏器件的后接觸

有效

• 申請號: 201380021883.8
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN104428902B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 阿列克謝·克拉斯諾夫;威廉·鄧·波爾
• 申請（專利權）人: 葛迪恩實業公司
• 主分類號: H01L31/0392
• 分類號: H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 何沖,王程

1.一種光伏器件，包括：

前基片；

半導體吸收薄膜；

后接觸部，包括含銅的第一導電層和含鉬的第二導電層；和

后基片，

其中，所述含銅的第一導電層位于所述后面基片和所述含鉬的第二導電層之間，且其中，所述半導體吸收薄膜位于所述后接觸部和所述前基片之間。

2.如權利要求1所述的光伏器件，其中，所述半導體吸收薄膜包含CIGS。

3.如上述權利要求中任何一項所述的光伏器件，其中，所述含銅的第一導電層包括氧化分級部分，其中靠近所述后基片的區域中氧濃度較高，且靠近所述含鉬的第二導電層的區域中氧濃度較低。

4.如權利要求3所述的光伏器件，其中，所述氧化分級部分不是連續被分級。

5.如上述權利要求中任何一項所述的光伏器件，進一步包括：含CuOX的第一壓力匹配層，其配置在所述后基片的附近并位于所述后基片和所述含銅的第一導電層之間。

6.如上述權利要求中任何一項所述的光伏器件，進一步包括：壓力減輕層，配置在所述后接觸部的所述第一導電層和所述后接觸部的所述第二導電層之間，所述壓力減輕層包含銅和鉬的合金。

7.如上述權利要求中任何一項所述的光伏器件，進一步包括：歐姆接觸，形成于所述半導體吸收薄膜和所述第二導電層之間，所述歐姆接觸包含MoSe₂。

8.如上述權利要求中任何一項所述的光伏器件，進一步包括：含有基本透明的金屬氧化物的基本透明的導電性前接觸部。

9.一種基于CIGS的光伏器件的后接觸部，所述后接觸部由后基片支撐并包括：

壓力匹配層，位于所述后基片上；

含銅的第一導電層，位于所述后基片之上覆蓋所述壓力匹配層；和

含鉬的第二導電層，位于所述后基片之上覆蓋所述第一導電層。

10.如權利要求9所述的后接觸部，其中，所述第一和第二導電層為金屬和/或基本金屬，且其中，所述壓力匹配層為所述含銅的第一導電層的一部分，所述含銅的第一導電層包括至少一個氧化分級部分，其中靠近所述后基片的區域中氧濃度較高，且靠近所述含鉬的第二導電層的其他區域中氧濃度較低。

11.如權利要求9-10所述的后接觸部，其中，所述第二導電層的厚度范圍為10-200nm。

12.如權利要求9-11所述的后接觸部，其中，所述第二導電層的厚度為40nm。

13.如權利要求9-12所述的后接觸部，其中，所述第一導電層的厚度范圍為40-150nm。

14.如權利要求9-13所述的后接觸部，其中，所述第一導電層的厚度為100nm。

15.如權利要求9-14所述的后接觸部，其中，所述壓力匹配層包括含CuO_X的壓力匹配層。

16.如權利要求9-15所述的后接觸部，其中，所述壓力匹配層的厚度范圍為3-50nm。

17.如權利要求9-16所述的后接觸部，其中，所述壓力匹配層包括：含鈦和/或鉻的壓力匹配層。

18.如權利要求9-17所述的后接觸部，其中，所述壓力匹配層的厚度范圍為1-10nm。

19.如權利要求9-18所述的后接觸部，進一步包括：壓力減輕層，配置在所述第一和第二導電層之間。

20.如權利要求19所述的后接觸部，其中，所述壓力減輕層包含鉬和銅的合金。

21.如權利要求20所述的后接觸部，其中，所述鉬和銅的合金包含30-70wt.％的鉬和30-70wt.％的銅。

22.如權利要求9-21所述的后接觸部，進一步包括：介電層，位于所述含銅的第一導電層和所述后基片之間。

23.如權利要求22所述的后接觸部，其中，所述介電層包含氮化硅和/或氮氧化硅。