[發(fā)明專利]固態(tài)攝像裝置及其制造方法以及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380021731.8 | 申請日: | 2013-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN104247021B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宮波勇樹 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態(tài) 攝像 裝置 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種固態(tài)攝像裝置,包括:
有機光電轉換層;
鈍化層,形成為覆蓋該有機光電轉換層的頂部;以及
絕緣膜,形成在該鈍化層上以及形成在在該鈍化層的狹縫中,其中,由于鈍化層下的層差,在鈍化層中形成所述狹縫,該絕緣膜的折射系數小于該鈍化層的折射系數。
2.根據權利要求1所述的固態(tài)攝像裝置,其中,通過包括該有機光電轉換層而構成的有機光電轉換部分和形成在半導體基底中的光電轉換部分是垂直層疊的。
3.根據權利要求1所述的固態(tài)攝像裝置,其中,該絕緣膜是通過原子層沉積法(ALD法)形成的膜。
4.根據權利要求1所述的固態(tài)攝像裝置,其中,連接至該有機光電轉換層的上電極形成為從該有機光電轉換層向外延伸,并且該固態(tài)攝像裝置還包括接觸開口部分和配線層,該接觸開口部分形成在該鈍化層和該絕緣膜中、位于該上電極的形成為延伸的部分上,該配線層形成為包括該接觸開口部分的內部且連接至該上電極。
5.一種制造包括有機光電轉換層的固態(tài)攝像裝置的方法,該方法包括如下步驟:
形成該有機光電轉換層;
形成鈍化層以覆蓋該有機光電轉換層的頂部;以及
在該鈍化層上以及在該鈍化層的狹縫中形成絕緣膜,其中,由于鈍化層下的層差,在鈍化層中形成所述狹縫,該絕緣膜的折射系數小于該鈍化層的折射系數。
6.根據權利要求5所述的制造固態(tài)攝像裝置的方法,其中,該絕緣膜采用原子層沉積法(ALD法)形成。
7.一種電子設備,包括:
光學系統(tǒng);
固態(tài)攝像裝置,包括有機光電轉換層、鈍化層和絕緣膜,該鈍化層形成為覆蓋該有機光電轉換層的頂部,該絕緣膜形成在該鈍化層上以及形成在該鈍化層的狹縫中,其中,由于鈍化層下的層差,在鈍化層中形成所述狹縫,并且該絕緣膜的折射系數小于該鈍化層的折射系數;以及
信號處理電路,構造為處理該固態(tài)攝像裝置的輸出信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





