[發明專利]提供波導及消散場耦合光子檢測器的方法及設備

在審

• 申請號: 201380020795.6
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN104380164A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 羅伊·米迪
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種光學連接，其包括：

光學波導，其經配置以載運光學束；及

光子檢測器，其可操作地連接到所述光學波導，

其中所述光學波導包含經配置以將對應于所述光學束的徑向傳播的消散波發射到所述光子檢測器的彎曲部分。

2.根據權利要求1所述的光學連接，其中所述光子檢測器包括經成形以將所述徑向傳播的消散波反射到共同點的至少一個反射邊緣。

3.根據權利要求2所述的光學連接，其中所述共同點為電極的位置。

4.根據權利要求1所述的光學連接，其中所述光學波導包括由具有第一折射率的材料構成的內芯及由具有第二折射率的材料構成的外包層。

5.根據權利要求4所述的光學連接，其中所述第一折射率大于所述第二折射率。

6.根據權利要求4所述的光學連接，其中所述內芯具有在大約300nm到500nm的范圍內的寬度。

7.根據權利要求6所述的光學連接，其中所述光學波導的所述彎曲部分具有大約1μm的曲率半徑。

8.根據權利要求4所述的光學連接，其中所述內芯包括硅，且所述外包層包括二氧化硅。

9.根據權利要求1所述的光學連接，其中所述光學波導及所述光子檢測器集成于共同襯底上。

10.根據權利要求9所述的光學連接，其中所述光學波導包括：

外包層，其由形成于所述共同襯底上的第一材料構成；及

內芯，其由形成于所述第一材料中的第二材料構成。

11.根據權利要求2所述的光學連接，所述光學波導進一步包括對接耦合到所述光子檢測器的一部分的端子端。

12.根據權利要求11所述的光學連接，其中所述光子檢測器的對接耦合到所述光學波導的所述端子端的所述部分包括經配置以將從所述端子端發射的光學束反射到所述共同點的第二反射邊緣。

13.一種光子檢測器，其包括：

半導體材料，其經配置以接收光學能量波，

其中所述半導體材料包括經成形以將多個所接收的光學能量波反射到共同點的至少一個反射邊緣。

14.根據權利要求13所述的光子檢測器，其中所述共同點包括位于所述光子檢測器內的至少一個電極。

15.根據權利要求13所述的光子檢測器，所述光子檢測器具有在大約5μm到15μm的范圍內的寬度。

16.根據權利要求13所述的光子檢測器，其中所述光子檢測器包括以下材料中的至少一者：

鍺；

硅鍺；

砷化銦鎵；及

磷酸銥。

17.一種形成光學連接的方法，所述方法包括：

在襯底上提供包層材料；

在所述包層材料中圖案化光學波導的內芯，其中所述內芯包含經配置以發射對應于由所述內芯載運的光學束的徑向傳播的消散波的彎曲部分；及

形成光子檢測器，其中所述光子檢測器包括經成形以將所述徑向傳播的消散波反射到共同點的至少一個反射邊緣。

18.根據權利要求17所述的方法，其進一步包括在所述共同點處形成電極。

19.根據權利要求17所述的方法，其中圖案化所述內芯包括：圖案化具有在大約300nm到500nm的范圍內的寬度及小于或等于大約1μm的曲率半徑的硅內芯。