[發(fā)明專利]偏光薄膜、圖像顯示裝置、以及偏光薄膜的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380020727.X | 申請日: | 2013-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN104246553A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中西貞裕;黑木美由紀(jì) | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 偏光 薄膜 圖像 顯示裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種偏光薄膜,其包含下述通式(1)表示的雙偶氮化合物,
Q表示取代或者未取代的苯基、或具有雜環(huán)的取代或者未取代的苯基,所述苯基的不相鄰的碳原子可以被氮原子取代,R1表示烷基,R2表示氫、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光薄膜,其中,所述Q為下述通式(2)表示的苯基,
X表示碳數(shù)1~6的烷基、碳數(shù)1~6的烷氧基、碳數(shù)1~6的硫代烷基、碳數(shù)1~6的羥烷基、碳數(shù)1~6的烷基氨基、碳數(shù)1~6的羧酸酰胺基、鹵代基、硝基、氰基、氨基、乙酰胺基、羧酸基、羥基、或-CONH2基,下標(biāo)x表示所述X的取代數(shù)即0~5的整數(shù),所述x為2以上時,所述X分別相同或不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光薄膜,其中,所述通式(2)的X為硝基或-CONH2基,所述通式(2)的x為1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的偏光薄膜,其中,所述通式(1)的R1為碳數(shù)1~6的烷基,所述通式(1)的R2為氫或乙酰基。
5.一種圖像顯示裝置,其具備權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的偏光薄膜。
6.一種偏光薄膜的制造方法,其具有將包含下述通式(1)表示的雙偶氮化合物和溶劑的涂布液涂覆在基材上的工序,
Q表示取代或者未取代的苯基、或具有雜環(huán)的取代或者未取代的苯基,所述苯基的不相鄰的碳原子可以被氮原子取代,R1表示烷基,R2表示氫、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡離子。
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