[發明專利]具有頻率選擇面以防止MRI過程中電磁干擾的神經刺激裝置

有效

• 申請號: 201380020707.2
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN104245045B
• 公開（公告）日: 2016-09-07
• 發明（設計）人: 高雷夫·古塔;基蘭·顧璐拉
• 申請（專利權）人: 波士頓科學神經調制公司
• 主分類號: A61N1/375
• 分類號: A61N1/375;A61N1/08;A61N1/05;A61N1/37;A61N1/378;H01M2/02;G01R33/42;H01Q15/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

1.一種可植入醫療裝置，包括：

天線，其配置為從外部裝置無線接收第一頻率能量；

電子電路，其配置為響應所接收能量的接收而執行功能；及

容納所述電子電路和所述天線的生物相容殼體，所述殼體包括基板結構和設于所述基板結構上的元件的二維陣列，其中所述元件的二維陣列和所述基板結構設置成形成頻率選擇面，該頻率選擇面能夠對入射在所述殼體上的第二頻率能量的至少一部分進行反射，同時將入射在所述殼體上的第一頻率能量的至少一部分傳輸至所述天線。

2.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述功能為對所述可植入醫療裝置進行編程。

3.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述功能為對所述可植入醫療裝置進行充電。

4.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述入射在所述殼體上的第一頻率能量的傳輸系數大于0.5，并且所述入射在所述殼體上的第二頻率能量的反射系數大于0.5。

5.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述入射在所述殼體上的第一頻率能量的傳輸系數大于0.75，并且所述入射在所述殼體上的第二頻率能量的反射系數大于0.75。

6.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述第二頻率大于10MHz。

7.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述第一頻率小于200KHz。

8.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述基板結構和所述元件陣列中的一個由介電材料形成，所述基板結構和所述元件陣列中的另一個由導電材料形成。

9.如權利要求8所述的可植入醫療裝置，其中所述基板結構和所述元件陣列中的所述一個為所述基板結構，所述基板結構和所述元件陣列中的所述另一個為所述元件陣列。

10.如權利要求8所述的可植入醫療裝置，其中所述基板結構和所述元件陣列中的所述一個為所述元件陣列，所述基板結構和所述元件陣列中的所述另一個為所述基板結構。

11.如權利要求8所述的可植入醫療裝置，其中所述導電材料為金屬，并且所述介電材料為陶瓷或塑料。

12.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述元件的陣列為周期性的。

13.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中所述元件的形狀相同。

14.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中各所述元件為線性偶極子，十字偶極子，圈環，和蝴蝶結中的一種。

15.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，其中各所述元件包括阻抗負載。

16.如權利要求15所述的可植入醫療裝置，其中所述阻抗負載可在第一值和第二值之間調節，所述可植入醫療裝置還包括連接至所述阻抗負載的電子控制器，所述電子控制器配置為生成在所述第一值和所述第二值之間動態調節所述阻抗負載的信號，由此，當所述阻抗負載具有第一值時，所述頻率選擇面對入射在所述殼體上的第二頻率能量的一部分進行反射，并且當所述阻抗負載具有第二值時，所述頻率選擇面對入射在所述殼體上的第三頻率能量的一部分進行反射。

17.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，還包括設于所述殼體內的電池，所述電池包括另一基板結構和另一設于所述另一基板結構上的另一元件的二維陣列，其中所述另一元件陣列和所述另一基板結構設為形成頻率選擇面，該頻率選擇面能夠對入射在所述電池上的第三頻率能量的至少一部分進行反射，同時將入射在所述電池上的所述第一頻率能量的至少一部分傳輸至所述天線。

18.如權利要求1所述的可植入醫療裝置，還包括連接至所述電子電路的導線，所述導線包括管狀基板結構和設于所述另一管狀基板上的另一元件的二維陣列，其中所述另一元件陣列和另一基板結構設為形成頻率選擇面，該頻率選擇面能夠對入射在所述導線上的第三頻率能量的至少一部分進行反射。