[發明專利]用于生產氧化陶瓷單晶的坩堝

有效

• 申請號: 201380020669.0
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN104487618B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 朱迪斯·亞努斯楚斯基;海克·拉切爾;曼弗萊德·蘇利克
• 申請（專利權）人: 普蘭西歐洲股份公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/20;C30B35/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 張天舒,張杰

1.一種由鉬或具有大于95原子％的鉬含量的鉬合金制成的坩堝，其特征在于，所述坩堝的內側至少部分地具有一涂層，所述涂層含有選自由鎢和鉬組成的組中的至少一種難熔金屬并且包含有孔隙，其中所述涂層由一難熔金屬/氧化鋁復合材料組成。

2.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述的涂層具有一大于5體積％的孔隙率。

3.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層含有鎢。

4.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝用于生產氧化陶瓷單晶。

5.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層具有一從5至400微米的涂層厚度。

6.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層具有一少于60體積％的孔隙率。

7.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層具有一從0.1至5微米的顆粒粒徑。

8.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層含有至少50質量％的難熔金屬。

9.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層含有至少95質量％的難熔金屬。

10.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述涂層含有氧化鋁。

11.一種用于生產根據權利要求1至10中的任一項所述的坩堝的方法，其特征在于，所述涂層通過一種淤漿法或噴涂方法進行沉積。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述的涂層通過應用一漿料來制成，所述漿料含有選自由鎢，鉬，氧化鋁組成的組中的至少一種粉末，以及粘合劑和容易蒸發的液體。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述漿料中難熔金屬的含量為從55質量％至85質量％。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在應用漿料后，坩堝在從1200℃至2000℃的溫度下進行退火處理。

15.一種用于生產藍寶石單晶的方法，其特征在于，所述的方法至少包含以下生產步驟：

制備一由鉬或具有超過95原子％的鉬含量的鉬合金制成的坩堝，所述坩堝的內側至少部分地具有一涂層，所述涂層含有選自由鎢和鉬組成的組中的至少一種難熔金屬并且包含有孔，其中所述涂層由一難熔金屬/氧化鋁復合材料組成；

將氧化鋁引入到坩堝中并將氧化鋁進行熔化；

進行受控冷卻來制備藍寶石單晶；

將藍寶石單晶從坩堝移除；

重復使用所述的坩堝用于至少再一次生產藍寶石單晶。