[發(fā)明專利]SiC單晶及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380020512.8 | 申請日： | 2013-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN104246026B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 旦野克典 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田自動(dòng)車株式會(huì)社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人： | 劉航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種采用熔液法的SiC單晶制造方法，使SiC籽晶接觸具有從內(nèi)部向表面溫度降低的溫度梯度的Si-C熔液而使SiC單晶生長，該制造方法包括：
使所述Si-C熔液的表面區(qū)域的溫度梯度成為10℃/cm以下；
使所述SiC籽晶的(1-100)面接觸所述Si-C熔液；以及
在所述籽晶的(1-100)面上以小于20×10-4cm2/h·℃的、所述SiC單晶的生長速度相對于所述溫度梯度的比使SiC單晶生長，所述比即是單晶的生長速度/溫度梯度。
2.一種SiC單晶制造方法，包括：使用采用權(quán)利要求1所述的方法制造出的SiC單晶作為籽晶，以所述籽晶的(000-1)面為基點(diǎn)進(jìn)行結(jié)晶生長的工序。
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