[發(fā)明專利]用于低功率閃存存儲(chǔ)器的電壓模式感測(cè)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380020309.0
• 申請(qǐng)日: 2013-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN104246895B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·K·沃爾什;P·B·帕特森;G·W·本頓;J·D·威爾金森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美敦力公司
• 主分類號(hào): G11C16/28
• 分類號(hào): G11C16/28;G11C16/26;G11C7/08;G11C7/22;G11C7/14;G11C11/00;G11C17/12;G11C29/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 宋靜嫻

1.一種電可擦除閃存存儲(chǔ)器，包括：

多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件配置成存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)位，所述多個(gè)數(shù)據(jù)位的每一個(gè)具有數(shù)據(jù)狀態(tài)；

除所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件之外的參考存儲(chǔ)元件，所述參考存儲(chǔ)元件用于存儲(chǔ)參考值；以及

電壓感測(cè)電路，所述電壓感測(cè)電路選擇性地耦合至所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件和所述參考存儲(chǔ)元件，并且所述電壓感測(cè)電路配置成采用偏置電流和偏置電阻中的至少一個(gè)來偏置所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件以及所述參考存儲(chǔ)元件，并且讀取存儲(chǔ)在所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件內(nèi)的所述多個(gè)數(shù)據(jù)位中的單獨(dú)數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)狀態(tài)，

其中，來自所述參考存儲(chǔ)元件的輸出提供指示：來自所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)讀出為有效的。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于：

所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)具有性能裕度；

其中所述電壓感測(cè)電路被配置成采用作為讀取偏置和裕度偏置中至少一個(gè)的所述偏置來選擇性地偏置所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件；以及

其中當(dāng)所述電壓感測(cè)電路采用所述裕度偏置來偏置所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件時(shí)，所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件引起指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的所述性能裕度的響應(yīng)。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述電壓感測(cè)電路包括：

傳感器；以及

偏置電路，所述偏置電路配置成采用所述偏置電阻來偏置所述傳感器；

其中所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的每一個(gè)被選定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件引起所述傳感器中的指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述被選定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的所述數(shù)據(jù)狀態(tài)的響應(yīng)。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述電壓感測(cè)電路包括：

傳感器；以及

偏置電路，所述偏置電路配置成采用所述偏置電流來偏置所述傳感器；

其中所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的每一個(gè)被選定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件引起所述傳感器中的指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述被選定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的所述數(shù)據(jù)狀態(tài)的響應(yīng)。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其特征在于：

所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的每一個(gè)具有性能裕度；

其中所述偏置電路被配置成采用作為讀取偏置和裕度偏置中的至少一個(gè)的所述偏置電流來選擇性地偏置所述傳感器；以及

其中，當(dāng)所述偏置電路采用所述裕度偏置來偏置所述傳感器時(shí)，所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，至少部分地基于來自所述參考存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)讀出為有效的所述指示，引起所述傳感器中的指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的所述性能裕度的響應(yīng)。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括具有兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于：

其中所述偏置電路配置成采用作為裕度高壓和裕度低壓之一的所述裕度偏置來選擇性地偏置所述傳感器；

其中當(dāng)所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件以所述兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的第一數(shù)據(jù)狀態(tài)存儲(chǔ)并且所述偏置電路采用所述裕度高壓配置時(shí)，所述傳感器指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件用于以所述兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的所述第一狀態(tài)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的所述性能裕度；以及

其中當(dāng)所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件以所述兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的第二數(shù)據(jù)狀態(tài)存儲(chǔ)并且所述偏置電路采用所述裕度低壓配置時(shí)，所述傳感器指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件用于以所述兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的所述第二狀態(tài)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的所述性能裕度。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于：

所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件組織到多個(gè)位線中；以及

其中所述存儲(chǔ)器進(jìn)一步包括可操作地耦合至所述多個(gè)位線的預(yù)放電電路；

其中所述預(yù)放電電路被配置成在所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件引起指示所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述數(shù)據(jù)狀態(tài)的響應(yīng)之前將所述多個(gè)位線中的至少一個(gè)位線驅(qū)動(dòng)至預(yù)定的電壓水平。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述多個(gè)位線中，和所述多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中的所述單獨(dú)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件不對(duì)應(yīng)的每一個(gè)位線被驅(qū)動(dòng)至所述預(yù)定的電壓水平。