[發(fā)明專利]復合基板及功能元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380020111.2 | 申請日： | 2013-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN104246027A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 東原周平;巖井真 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B19/12 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務(wù)所 31210 | 代理人： | 李曉 |
| 地址： | 日本國愛知縣名*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復合 功能 元件 | ||
1.一種復合基板，其包括由氮化鎵單晶構(gòu)成的晶種以及氮化鎵晶體層，其特征在于，
在該晶種的培養(yǎng)面上規(guī)則地排列有錐狀或截頂錐狀的突起，
所述氮化鎵晶體層為，通過助熔劑法直接形成在所述晶種的所述培養(yǎng)面上的厚度為100μm以下的晶體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復合基板，其特征在于，
所述突起為六棱錐狀或截頂六棱錐狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復合基板，其特征在于，
俯視所述培養(yǎng)面時，所述突起至少朝向兩個方向規(guī)則地排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復合基板，其特征在于，
俯視所述培養(yǎng)面時，所述突起至少朝向所述晶種的m軸的法線方向以一定的周期排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的復合基板，其特征在于，
所述晶種為支撐基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的復合基板，其特征在于，
還具有支撐基板，所述晶種是設(shè)置于所述支撐基板上的晶種膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的復合基板，其特征在于，
所述突起的高度為10μm以下，所述突起以排列周期2～75μm周期性排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的復合基板，其特征在于，
所述突起為截頂錐狀，該突起的上部平坦面的面積相對于所述突起的底面積的比率為15％～95％。
9.一種功能元件，其特征在于，具有權(quán)利要求1～8中任一項所述的復合基板，以及在所述氮化鎵晶體層上通過氣相法形成的由13族元素氮化物構(gòu)成的功能層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功能元件，其特征在于，
所述功能層構(gòu)成發(fā)光元件。
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