[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380019990.7
• 申請日: 2013-10-07
• 公開（公告）號: CN104247010A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 安達新一郎
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/473
• 分類號: H01L23/473;H05K7/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導體裝置，具備：

絕緣基板；

半導體元件，其搭載在該絕緣基板上；以及

冷卻器，其使該半導體元件冷卻，

該半導體裝置的特征在于，上述冷卻器具備：

散熱基板，其與該絕緣基板接合；

多個散熱片，其設置在該散熱基板的、與該絕緣基板接合的接合面的相反側(cè)的面上的大致長方形的區(qū)域；以及

冷卻盒，其收容該散熱片，呈具有底壁和側(cè)壁的箱型形狀，

其中，在該冷卻盒的側(cè)壁中的、沿著散熱片的集合體的長邊方向設置的一對第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上，在相對于散熱片的集合體的短邊方向的中心線向相互相反的方向錯開的位置處設有冷卻介質(zhì)的導入口和排出口，并且，

在上述底壁與設有上述導入口的上述第一側(cè)壁之間設有擴散壁，該擴散壁使從上述導入口導入的上述冷卻介質(zhì)沿著上述第一側(cè)壁擴散。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述底壁與設有上述排出口的上述第二側(cè)壁之間設有收斂壁，該收斂壁使上述冷卻介質(zhì)沿著上述第二側(cè)壁向上述排出口收斂。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述擴散壁為從上述第一側(cè)壁的底邊朝向上述底壁形成的向上傾斜面。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述收斂壁為從上述底壁朝向上述第二側(cè)壁的底邊形成的向下傾斜面。

5.根據(jù)權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

上述導入口的內(nèi)徑大于上述擴散壁的高度。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

上述導入口的內(nèi)徑為10mm～15mm，上述擴散壁的高度為0.1mm～13mm。

7.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述導入口和上述排出口的位置相對于上述冷卻盒旋轉(zhuǎn)對稱。

8.根據(jù)權利要求3或者4所述的半導體裝置，其特征在于，

通過上述底壁、上述擴散壁和上述收斂壁在上述冷卻盒的上述底壁的背面?zhèn)刃纬闪税疾俊?/p>

9.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

沿著上述冷卻盒的長邊方向設有上述半導體裝置的端子。

10.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述散熱片為針散熱片。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

上述針散熱片由多個針構成，針的間距為針直徑的1.25倍～2倍。

12.根據(jù)權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述冷卻器的上述底壁的下方重疊設有薄膜電容器。