[發明專利]積體薄膜太陽能晶胞電池的互連

有效

• 申請號: 201380019972.9
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN104412357B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 斯科特·維德曼;埃里克·希恩;杰弗里·S·布里特
• 申請（專利權）人: 環球太陽能公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

1.一種制造光伏模塊的方法，包含：

將一光活性組成物施加于一導電基材，以產生一光伏材料的連續片；

將光活性組成物自該光伏材料移除，以建立多個互連區域，該些互連區域與設置于該些互連區域之外的光活性組成物電隔離；

將包括該導電基材的該光伏材料切割為分立的、實體上分離的第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池；

將該第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池與一透光性上片接觸而放置，并藉此將該上片的一導電格狀圖案放置成電接觸每個光伏晶胞電池的光活性組成物的部分，每個光伏晶胞電池的光活性組成物的部分包括該第一光伏晶胞電池的互連區域內的光活性組成物的部分；以及

藉由將每個互連區域內的光活性組成物的一部分轉換成具有低歐姆電阻的材料，從而將與該第二光伏晶胞電池的光活性組成物電接觸的該格狀圖案的一部分電連接于位于該第一光伏晶胞電池的互連區域內的該導電基材的部分，而電互連該第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池；

其中，將每個互連區域內的光活性組成物的一部分轉換成具有低歐姆電阻的材料的步驟包括將該上片鐳射焊接于每個互連區域的一部分，以及其中鐳射焊接包括引導鐳射以首先沖擊該第一光伏晶胞電池的導電基材的背側，或首先沖擊該上片。

2.如權利要求1所述的方法，其中將光活性組成物自該光伏材料移除的步驟，包括以鐳射切割每個互連區域的一周緣部分。

3.如權利要求2所述的方法，還包含以鐳射切割每一個光伏晶胞電池的一周緣部分。

4.如權利要求1所述的方法，其中將該第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池與一透光性上片接觸而放置的步驟，包括：保留每個光伏晶胞電池延伸超出該格狀圖案的一露出區域。

5.如權利要求1所述的方法，其中該上片包括設置于一構造層之上的黏著層。

6.如權利要求1所述的方法，其中該光活性組成物包括硒化銅銦鎵所形成的p型半導體層，以及硫化鎘所形成的n型半導體層。

7.一種光伏模塊，包含：

一透光性上片，包括設置于該上片的一面上的一導電格狀圖案；以及

電互連的分立的第一光伏晶胞電池及第二光伏晶胞電池，設置于該上片上，該上片具有與該第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池都電接觸的導電格狀圖案，每個光伏晶胞電池包括施加于一導電基材的一光活性組成物，以及其中該第一光伏晶胞電池的導電基材與該第二光伏晶胞電池的導電基材在實體上是分離的；

其中該第一光伏晶胞電池包括多個互連區域，該些互連區域與圍繞該些互連區域的光活性組成物電隔離，每個互連區域的特征在于，圍繞該互連區域的周緣不具有光活性組成物以及在該周緣內有低歐姆電阻材料；

其中該格狀圖案藉由形成與該低歐姆電阻材料的電連接從而與該第一光伏晶胞電池的該些互連區域中的導電基材電連接，以及形成與該第二光伏晶胞電池的光活性組成物的上表面的電連接，而電互連該第一光伏晶胞電池和第二光伏晶胞電池；以及

其中該低歐姆電阻材料藉由通過引導鐳射以首先沖擊該第一光伏晶胞電池的導電基材的背側或首先沖擊該上片而將該第一光伏晶胞電池的該些互連區域鐳射焊接于該上片而形成。

8.如權利要求7所述的光伏模塊，其中該第一光伏晶胞電池和該第二光伏晶胞電池各包括一延伸超出該格狀圖案的露出區域。

9.如權利要求7所述的光伏模塊，其中該光伏模塊為撓性的，且該光活性組成物包括一硒化銅銦鎵所形成的p型半導體薄膜層，以及一硫化鎘所形成的n型半導體薄膜層。

10.如權利要求7所述的光伏模塊，其中該格狀圖案包括一延伸橫跨該第二光伏晶胞電池的母線，以及自該母線延伸出的多個互連突片，每個突片經組構而與該第一光伏晶胞電池的該些互連區域的其中一個接觸。

11.如權利要求10所述的光伏模塊，還包含一條電介質，設置于該母線及該第二光伏晶胞電池之間。