[發(fā)明專利]光譜儀裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380019930.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104583760A | 公開(公告)日: | 2015-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J.鮑;M.G.巴文迪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 麻省理工學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G01N21/62 | 分類號(hào): | G01N21/62 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光譜儀 裝置 | ||
1.一種光譜儀,包括:
多個(gè)探測(cè)器位置,其中每個(gè)探測(cè)器位置包括能吸收預(yù)定波長(zhǎng)光的多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體,并且其中每個(gè)探測(cè)器位置包括根據(jù)入射光的不同強(qiáng)度能提供差分響應(yīng)的光敏元件;以及
數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng),連接到該光敏元件的每一個(gè),其中該數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)構(gòu)造為當(dāng)入射光照射該探測(cè)器位置時(shí)在該探測(cè)器位置的每一個(gè)處記錄該差分響應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的光譜儀,其中每個(gè)探測(cè)器位置處的該多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體能吸收不同預(yù)定波長(zhǎng)的光。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光譜儀,其中該光敏元件是光伏電池。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光譜儀,其中該光敏元件是光電導(dǎo)體。
5.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的光譜儀,其中該半導(dǎo)體納米晶體,在吸收該預(yù)定波長(zhǎng)的光后,能發(fā)射區(qū)別波長(zhǎng)的光,并且其中該光敏元件對(duì)該區(qū)別波長(zhǎng)的光敏感。
6.如權(quán)利要求1-4中任何一項(xiàng)所述的光譜儀,其中該半導(dǎo)體納米晶體構(gòu)造為基本上吸收入射在特定探測(cè)器位置的該預(yù)定波長(zhǎng)的全部光,并且基本上不能發(fā)射區(qū)別波長(zhǎng)的光。
7.一種記錄光譜圖的方法,包括:
提供光譜儀,其包括:
多個(gè)探測(cè)器位置,其中每個(gè)探測(cè)器位置包括能吸收預(yù)定波長(zhǎng)光的多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體,并且其中每個(gè)探測(cè)器位置包括根據(jù)入射光的不同強(qiáng)度能提供差分響應(yīng)的光敏元件;以及
數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng),連接到該光敏元件的每一個(gè),其中該數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)構(gòu)造為當(dāng)入射光照射該探測(cè)器位置時(shí)記錄在該探測(cè)器位置的每一個(gè)處的該差分響應(yīng);
用入射光照射該多個(gè)探測(cè)器位置;
記錄在該探測(cè)器位置的每一個(gè)處的該差分響應(yīng);以及
根據(jù)所記錄的該探測(cè)器位置的每一個(gè)處的差分響應(yīng)決定特定波長(zhǎng)入射光的強(qiáng)度。
8.一種個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,包括:
UV探測(cè)器,可在UV區(qū)域中的不同波長(zhǎng)之間進(jìn)行區(qū)別;以及
數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng),構(gòu)造為當(dāng)該探測(cè)器位置由入射光照射時(shí)記錄該UV區(qū)域中的該不同波長(zhǎng)的差分響應(yīng)。
9.如權(quán)利要求8所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該UV探測(cè)器是UV敏感半導(dǎo)體光電探測(cè)器。
10.如權(quán)利要求8所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該UV光電探測(cè)器是光電探測(cè)器陣列。
11.如權(quán)利要求8所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該UV探測(cè)器是納米晶體光譜儀。
12.如權(quán)利要求11所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該納米晶體光譜儀包括:
多個(gè)探測(cè)器位置,其中每個(gè)探測(cè)器位置包括能吸收預(yù)定波長(zhǎng)光的多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體,并且其中每個(gè)探測(cè)器位置包括能根據(jù)入射光的不同強(qiáng)度提供差分響應(yīng)的光敏元件;而且
該數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)連接到該光敏元件的每一個(gè),其中該數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)構(gòu)造為當(dāng)該探測(cè)器位置由入射光照射時(shí)記錄該探測(cè)器位置的每一個(gè)處的該差分響應(yīng)。
13.如權(quán)利要求8-12中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該光譜儀構(gòu)造為測(cè)量的一個(gè)或多個(gè)UV波長(zhǎng)入射光的強(qiáng)度。
14.如權(quán)利要求13所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該光譜儀構(gòu)造為測(cè)量UVA、UVB和UVC波長(zhǎng)入射光的強(qiáng)度。
15.如權(quán)利要求8-14中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,還包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部件,構(gòu)造為記錄一個(gè)或多個(gè)UV波長(zhǎng)入射光的測(cè)量強(qiáng)度。
16.如權(quán)利要求8-15中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,還包括無(wú)線數(shù)據(jù)通訊系統(tǒng),構(gòu)造為將一個(gè)或多個(gè)UV波長(zhǎng)入射光的測(cè)量強(qiáng)度傳輸?shù)酵獠坑?jì)算裝置。
17.如權(quán)利要求8-16中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該裝置構(gòu)造為向使用者提供UV曝光的實(shí)時(shí)測(cè)量。
18.如權(quán)利要求8-17中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該裝置構(gòu)造為向使用者提供UV曝光的歷史報(bào)告。
19.如權(quán)利要求8-18中任何一項(xiàng)所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該裝置集成在便攜式個(gè)人物品中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的個(gè)人UV曝光跟蹤裝置,其中該便攜式個(gè)人物品是防水的。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





