[發明專利]沉積錳和氮化錳的方法

有效

• 申請號: 201380019857.1
• 申請日: 2013-04-12
• 公開（公告）號: CN104221132B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 湯靜;李哲峰;馬伯方;戴維·湯普森
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/205
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種形成含錳膜的方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板；和

將所述基板暴露于第一前驅物和反應物，所述第一前驅物包括含錳有機金屬化合物以沉積含錳膜，其中所述含錳有機金屬化合物的化學式如下：

其中每一個A為獨立地選自碳或硅，且每一個R為獨立地選自氫、甲基、取代的烷烴或未取代的烷烴、支鏈烷烴或非支鏈烷烴、取代的烯烴或未取代的烯烴、支鏈烯烴或非支鏈烯烴、取代的炔烴或未取代的炔烴、支鏈炔烴或非支鏈炔烴或取代的芳烴或未取代的芳烴。

2.一種用于在微電子裝置中形成互連的方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板，所述基板包括介電層，所述介電層設置在所述基板上，所述介電層具有開口，所述開口允許導電至下層，

將所述基板暴露于第一前驅物和反應物，所述第一前驅物包括含錳有機金屬化合物以在所述介電層的至少一部分上沉積含錳膜，其中所述含錳有機金屬化合物的化學式如下：

其中每一個A為獨立地選自碳或硅且每一個R為獨立地選自氫、甲基、取代的烷烴或未取代的烷烴、支鏈烷烴或非支鏈烷烴、取代的烯烴或未取代的烯烴、支鏈烯烴或非支鏈烯烴、取代的炔烴或未取代的炔烴、支鏈炔烴或非支鏈炔烴或取代的芳烴或未取代的芳烴；和

在所述含錳膜上方沉積導電材料，所述導電材料亦可位于所述開口上方，所述開口允許導電至下層。

3.如前述任一項權利要求所述的方法，其中每一個A為氮。

4.如前述任一項權利要求所述的方法，其中每一個R基團為甲基。

5.如前述任一項權利要求所述的方法，其中所述反應物為氨和氫中的一種或更多種。

6.如前述任一項權利要求所述的方法，其中所述含錳有機金屬化合物包括雙[雙(三甲基硅烷基)氨基]錳。

7.如前述任一項權利要求所述的方法，其中所述含錳膜進一步包括一種或更多種摻雜劑，所述一種或更多種摻雜劑選自Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和V。

8.如權利要求7所述的方法，其中通過將所述基板暴露于第二前驅物和反應物來包括所述摻雜劑，所述第二前驅物包括化合物，所述化合物包括所述摻雜劑元素。

9.如權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述基板實質上同時暴露于所述第一前驅物和反應物。

10.如權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述基板依次暴露于所述第一前驅物和反應物。

11.如前述任一項權利要求所述的方法，其中所述錳膜為MnN_x且x在約0.1至約3的范圍內。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括以下步驟：處理所述MnN_x膜以產生硅酸錳。

13.如前述任一項權利要求所述的方法，其中硅酸錳沉積在所述基板上。

14.如前述任一項權利要求所述的方法，其中所述含錳膜在小于約2nm的厚度處為連續的。

15.如前述任一項權利要求所述的方法，進一步包括以下步驟：將所述基板暴露于不同于所述第一前驅物的第二前驅物和可選擇地暴露于不同于所述反應物的第二反應物。