[發明專利]半導體發光元件用光提取體及發光元件

無效

• 申請號: 201380019616.7
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN104221180A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 山口布士人;古池潤;高際綾
• 申請（專利權）人: 旭化成電子材料株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;G02B5/18;H01L21/027
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 肖華

1.一種半導體發光元件用光提取體，其特征在于，包括：

凹凸構造層，其在表面設置有凹凸構造，且具有第一折射率(n1)；及

光提取層，其設置于所述凹凸構造上，且具有第二折射率(n2)，

所述第一折射率(n1)與所述第二折射率(n2)實質上不同，

所述光提取層包括設置于所述凹凸構造的凸部上的第一光提取層，

對于所述第一光提取層，凸部頂部平均位置Sh與所述第一光提取層的凸部上界面平均位置Scv之間的距離Lcv滿足下述式(1)，所述凹凸構造的凸部平均高度H滿足下述式(2)，并且平均間距P滿足下述式(3)，且所述距離Lcv及所述凸部平均高度H滿足下述式(4)，

式(1)

10nm≦Lcv≦5000nm

式(2)

10nm≦H≦5000nm

式(3)

50nm≦P≦5000nm

式(4)

50nm≦Lcv+H≦6000nm。

2.一種半導體發光元件用光提取體，其特征在于，包括：

凹凸構造層，其在表面設置有凹凸構造，且具有第一折射率(n1)；及

光提取層，其設置于所述凹凸構造上，且具有第二折射率(n2)，

所述第一折射率(n1)與所述第二折射率(n2)實質上不同，

所述光提取層包括設置于所述凹凸構造的凹部內的第二光提取層，

對于所述第二光提取層，凸部頂部平均位置Sh與所述第二光提取層的凹部內界面平均位置Scc之間的距離Lcc、及凸部平均高度H滿足下述式(5)，所述凹凸構造的所述凸部平均高度H滿足下述式(2)，平均間距P滿足下述式(3)，

式(2)

10nm≦H≦5000nm

式(3)

50nm≦P≦5000nm

式(5)

0.0H<Lcc<1.0H。

3.一種半導體發光元件用光提取體，其特征在于，包括：

凹凸構造層，其在表面設置有凹凸構造，且具有第一折射率(n1)；及

光提取層，其設置于所述凹凸構造上，且具有第二折射率(n2)，

所述第一折射率(n1)與所述第二折射率(n2)實質上不同，

所述光提取層包括設置于所述凹凸構造的凸部上的第一光提取層、及設置于所述凹凸構造的凹部內的第二光提取層，

對于所述第二光提取層，凸部頂部平均位置Sh與所述第二光提取層的凹部內界面平均位置Scc之間的距離Lcc、及凸部平均高度H滿足下述式(5)，并且對于所述第一光提取層，所述凸部頂部平均位置Sh與設置于所述凹凸構造的凸部上的第一光提取層的凸部上界面平均位置Scv之間的距離Lcv、及所述凸部平均高度H滿足下述式(6)，所述凹凸構造的所述凸部平均高度H滿足下述式(2)，并且平均間距P滿足下述式(3)，

式(2)

10nm≦H≦5000nm

式(3)

50nm≦P≦5000nm

式(5)

0.0H<Lcc<1.0H

式(6)

0.0H<Lcv≦1.5H。

4.如權利要求1所述的半導體發光元件用光提取體，其特征在于，

包括以覆蓋所述凹凸構造層及所述光提取層的方式設置且具有第三折射率(n3)的平坦化層，

所述第一折射率(n1)、所述第二折射率(n2)及所述第三折射率(n3)滿足下述式(7)～(9)中的任一個，

對于所述平坦化層，所述第一光提取層的所述凸部上界面平均位置Scv與所述平坦化層的表面之間的平均距離Lor滿足下述式(10)，

式(7)

n2>n3≧n1且(n2-n3)≧0.1

式(8)

n3>n2>n1且(n3-n2)≧0.1

式(9)

n3≧n1>n2且(n1-n2)≧0.1

式(10)

0nm≦Lor≦800nm。