[發明專利]太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201380019280.4
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN104221158A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 秋元英樹;菊池智惠子
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊

1.用于制造太陽能電池的方法，包括以下步驟：

a)提供半導體基板，所述半導體基板具有受光側面和背側面，其中在背側面上形成鈍化層；

b)以指定圖案將包含含銀粉末的第一導電膏施涂在所述半導體基板的背側面上，從而形成銀導體圖案；

c)以指定圖案將包含鋁粉末的第二導電膏施涂在所述半導體基板的背側面上，從而形成鋁導體圖案，所述鋁導體圖案的至少一部分疊加在所述銀導體圖案的至少一部分上；以及

d)同時焙燒所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案，從而通過在其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案疊加的區域中燒透而在所述半導體基板和所述鋁導體圖案之間形成電觸點，

其中通過所述燒透形成的電觸點不形成于其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案不疊加的區域中。

2.用于制造太陽能電池的方法，包括以下步驟：

a)提供半導體基板，所述半導體基板具有受光側面和背側面，其中在背側面上形成鈍化層；

b)以指定圖案將包含鋁粉末的第二導電膏施涂在所述半導體基板的背側面上，從而形成鋁導體圖案；

c)以指定圖案將包含含銀粉末的第一導電膏施涂在所述半導體基板的背側面上，從而形成銀導體圖案，所述銀導體圖案的至少一部分疊加在所述鋁導體圖案的至少一部分上；以及

d)同時焙燒所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案，從而通過在其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案疊加的區域中燒透而在所述半導體基板和所述鋁導體圖案之間形成電觸點，

其中通過所述燒透形成的電觸點不形成于其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案不疊加的區域中。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述半導體基板為p摻雜的硅片，并且其中在所述半導體基板的受光側面上形成n型擴散層。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述鈍化層由氧化鈦、氧化鋁、氮化硅、氧化硅、氧化銦錫、氧化鋅或碳化硅形成。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中基于所述第一導電膏的重量計，所述第一導電膏包含0.1至95重量％的含銀粉末和5至99.9重量％的有機介質。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中基于所述第二導電膏的重量計，所述第二導電膏包含30至90重量％的鋁粉末和10至70重量％的有機介質。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一導電膏和所述第二導電膏分別被絲網印刷到所述半導體基板的背側面上的鈍化層12a上。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中基于所述半導體基板的背部表面積計，其中所述銀導體圖案和所述Al導體圖案疊加的區域的面積為0.001至50％。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中以某種圖案施涂所述第二導電膏，使得所述銀導體圖案的一部分與所述Al導體圖案疊加并且所述銀導體圖案的其余部分不與所述Al導體圖案疊加。

10.根據權利要求8所述的方法，所述銀導體圖案的其余部分的至少一部分用作所述半導體基板的背側面上的片式電極。

11.用于制造太陽能電池的方法，包括以下步驟：

a)提供半導體基板，所述半導體基板具有受光側面和背側面，其中在背側面上形成鈍化層；

b)以指定圖案在所述半導體基板的背側面上形成包含含銀粉末的銀導體圖案；

c)以指定圖案在所述半導體基板的背側面上形成包含鋁粉末的鋁導體圖案，所述鋁導體圖案的至少一部分疊加在所述銀導體圖案的至少一部分上；以及

d)同時焙燒所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案，從而通過在其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案疊加的區域中燒透而在所述半導體基板和所述鋁導體圖案之間形成電觸點，

其中通過所述燒透形成的電觸點不形成于其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案不疊加的區域中。

12.用于制造太陽能電池的方法，包括以下步驟：

a)提供半導體基板，所述半導體基板具有受光側面和背側面，其中在背側面上形成鈍化層；

b)以指定圖案在所述半導體基板的背側面上形成包含鋁粉末的鋁導體圖案

c)以指定圖案在所述半導體基板的背側面上形成包含含銀粉末的銀導體圖案，所述銀導體圖案的至少一部分疊加在所述鋁導體圖案的至少一部分上；以及

d)同時焙燒所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案，從而通過在其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案疊加的區域中燒透而在所述半導體基板和所述鋁導體圖案之間形成電觸點，

其中通過所述燒透形成的電觸點不形成于其中所述銀導體圖案和所述鋁導體圖案不疊加的區域中。