[發(fā)明專利]級(jí)聯(lián)放大器以及放大電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380019028.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104272587A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 新田直子;嘉藤勝也;向井謙治;堀口健一;檜枝護(hù)重;森一富;山本和也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03F1/22 | 分類號(hào): | H03F1/22;H03F3/193;H03F3/68 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 于麗 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 級(jí)聯(lián) 放大器 以及 放大 電路 | ||
1.一種級(jí)聯(lián)放大器,第1晶體管與第2晶體管被級(jí)聯(lián)連接,其特征在于:
所述第1晶體管的源極端子或射極端子接地;
所述第2晶體管的源極端子或射極端子與所述第1晶體管的漏極端子或集電極端子連接;并且
所述第1晶體管的柵極寬度或射極面積比所述第2晶體管的柵極寬度或射極面積小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)放大器,其特征在于,
在級(jí)聯(lián)連接的晶體管個(gè)數(shù)多于兩個(gè)的情況下,
作為從輸入端子側(cè)的晶體管數(shù)起第M個(gè)晶體管的第M晶體管的源極端子或射極端子與第(M-1)的晶體管的漏極端子或集電極端子連接,并且
所述第(M-1)的晶體管的柵極寬度或射極面積比所述第M晶體管的柵極寬度或射極面積小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)放大器,其特征在于,包括:
電壓設(shè)定電路,設(shè)定所述第1晶體管的柵極電壓或基極電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的級(jí)聯(lián)放大器,其特征在于,
電壓設(shè)定電路設(shè)定所述第1晶體管的柵極電壓,使得在第1晶體管的柵極寬度Wg1比第2晶體管的柵極寬度Wg2小的情況下流過(guò)所述第1晶體管和第2晶體管的電流Ic1,和在所述第1晶體管的柵極寬度Wg1與所述第2晶體管的柵極寬度Wg2相等的情況下流過(guò)所述第1晶體管和第2晶體管的電流Ic2滿足
Ic1=Ic2×(Wg2/Wg1)的關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)放大器,其特征在于,第2晶體管的端子間耐壓比第1晶體管的端子間耐壓高。
6.一種放大電路,其中至少1級(jí)以上的級(jí)聯(lián)放大器被串聯(lián)連接,其特征在于:
至少1級(jí)以上的級(jí)聯(lián)放大器中,至少1個(gè)級(jí)聯(lián)放大器由權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)放大器構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放大電路,其特征在于,
串聯(lián)連接的級(jí)聯(lián)放大器的級(jí)數(shù)為N級(jí)時(shí),第P級(jí)中的第1晶體管的柵極寬度或射極面積與第(P-1)級(jí)中的第2晶體管的柵極寬度或射極面積相等,其中N為2以上的自然數(shù),P為2以上的自然數(shù),P≤N。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放大電路,其特征在于,
在至少1級(jí)以上的級(jí)聯(lián)放大器的后級(jí),N個(gè)最終級(jí)放大器并聯(lián)連接,與所述N個(gè)最終級(jí)放大器并聯(lián)地連接旁路路徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放大電路,其特征在于,
最終級(jí)放大器由級(jí)聯(lián)放大器構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放大電路,其特征在于,
旁路路徑由旁路開(kāi)關(guān)和匹配電路的串聯(lián)電路構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放大電路,其特征在于,
旁路路徑由旁路開(kāi)關(guān)和旁路放大器的串聯(lián)電路構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的放大電路,其特征在于,
旁路放大器由級(jí)聯(lián)放大器構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放大電路,其特征在于,
級(jí)聯(lián)放大器與N個(gè)最終級(jí)放大器之間分別連接信號(hào)路徑開(kāi)關(guān),旁路路徑由旁路開(kāi)關(guān)和匹配電路或旁路放大器的串聯(lián)電路構(gòu)成;并且
在要求的輸出功率為第1功率的第1工作模式中,將所述旁路開(kāi)關(guān)控制為導(dǎo)通狀態(tài),將所述信號(hào)路徑開(kāi)關(guān)控制為斷開(kāi)狀態(tài),在要求的輸出功率為比第1功率高的第2工作模式中,將所述旁路開(kāi)關(guān)控制為斷開(kāi)狀態(tài),將所述信號(hào)路徑開(kāi)關(guān)控制為導(dǎo)通狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的放大電路,其特征在于,
控制電路根據(jù)由級(jí)聯(lián)放大器放大的信號(hào),切換構(gòu)成所述級(jí)聯(lián)放大器的第1晶體管和第2晶體管的柵極電壓。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
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- 一種MCU級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)及其控制方法和控制系統(tǒng)
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- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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