[發明專利]用于控制基板均勻度的方法及設備

無效

• 申請號: 201380018921.4
• 申請日: 2013-04-02
• 公開（公告）號: CN104205299A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: S·M·R·薩德賈迪;D·盧博米爾斯基;H·諾巴卡施;Z·J·葉;D·H·考齊;S·S·康
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種用于等離子體處理腔室的工藝套件，所述工藝套件包含：

頂環；以及

底環，所述底環經調適而以同心方式支持所述頂環，所述頂環及所述底環的內徑經選擇而環繞半導體晶圓，所述底環具有連接器，所述連接器經配置而將信號耦合至所述底環以供外部控制所述底環的熱狀態及電氣狀態的一者或兩者。

2.如權利要求1所述的工藝套件，其特征在于，所述底環進一步包含：

導電層，所述導電層經耦合至所述連接器。

3.如權利要求1所述的工藝套件，其特征在于，進一步包含：

加熱組件，所述加熱組件經耦合至所述連接器。

4.如權利要求1所述的工藝套件，其特征在于，所述底環進一步包含：

溫度控制部件，所述溫度控制部件經配置以使所述工藝套件的熱狀態受到控制。

5.如權利要求1所述的工藝套件，其特征在于，進一步包含：

絕緣材料，所述絕緣材料設置于所述底環及所述頂環的至少一者的內徑上。

6.一種具有動態可調式工藝套件的處理腔室，所述處理腔室包含：

腔體，所述腔體具有基板傳送開口及內部容積，其中所述腔體包括導電側壁，所述導電側壁具有第一部分，所述第一部分經配置而以與所述導電側壁的其余部分獨立的方式受到電氣控制；

基板支持組件，所述基板支持組件設置于所述腔體的內部容積中；以及

工藝套件，所述工藝套件設置于所述基板支持組件上，所述工藝套件包含：

頂環；以及

底環，所述底環經調適而以同心方式支持所述頂環，所述頂環及所述底環的內徑經選擇而環繞半導體晶圓，所述半導體晶圓設置于所述基板支持組件上，所述底環具有連接器，所述連接器經配置而將信號耦合至所述底環以供外部控制所述底環的熱狀態及電氣狀態的一者或兩者。

7.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，進一步含有：

第一控制系統，所述第一控制系統經由所述連接器而與所述工藝套件接合，且所述第一控制系統可操作以控制所述工藝套件的電氣狀態及熱狀態的一者或兩者；以及

第二控制系統，所述第二控制系統與所述導電側壁的第一部分接合，所述第二控制系統可操作以控制所述導電側壁的所述第一部分的電氣狀態。

8.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，所述工藝套件經由所述連接器而與所述第一控制系統的第一調諧電路及第一電源接合，以控制所述工藝套件的電氣狀態。

9.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，所述第一調諧電路經配置以控制由所述第一電源供應的電氣偏壓的參數。

10.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，所述工藝套件進一步包含：

加熱組件，所述加熱組件經耦合至所述連接器。

11.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，所述工藝套件進一步包含：

溫度控制部件，所述溫度控制部件經配置以允許傳熱介質控制所述工藝套件的熱狀態。

12.如權利要求11所述的處理腔室，其特征在于，所述溫度控制部件為導管或通道，且所述溫度控制部件經配置以流動傳熱介質。

13.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，所述導電側壁的所述第一部分與調協電路及電源接合，以控制所述導電側壁的所述第一部分的電氣狀態。

14.如權利要求6所述的處理腔室，其特征在于，所述頂環由選自由硅、碳化硅及石英所組成群組中的材料所制得，或所述頂環經選自由硅、碳化硅及石英所組成群組中的材料所涂覆。

15.一種用于在處理腔室中處理基板的方法，包含：

傳送基板至所述處理腔室中，所述處理腔室具有工藝套件，所述工藝套件設置于基板支持組件上，所述工藝套件包含：

頂環；以及

底環，所述底環經調適而以同心方式支持所述頂環，所述頂環及底環的內徑經選擇而環繞半導體晶圓，所述底環具有連接器，所述連接器經配置而將信號耦合至所述底環以供外部控制所述底環的熱狀態及電氣狀態的一者或兩者；

設定所述工藝套件的電氣狀態及熱狀態的一者或兩者；

于所述處理腔室內形成等離子體；以及

在所述等離子體存在下處理所述基板。