[發明專利]陶瓷電子部件以及陶瓷電子部件的制造方法

無效

• 申請號: 201380018883.2
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104221174A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 星野瞳;片山良子;淺野敬史
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L41/047
• 分類號: H01L41/047;H01L41/333;H05K3/38
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 薛凱

1.一種陶瓷電子部件，在陶瓷坯體的至少一方的主面的至少一部分形成有導電部，其特征在于，

所述陶瓷坯體的所述主面上的與所述導電部相接的接觸界面的至少一部分具有由晶粒形成的結構體。

2.根據權利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述結構體是被所述晶粒包圍的凹陷部。

3.根據權利要求2所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述凹陷部在俯視觀察下形成為大致圓形狀。

4.根據權利要求2或3所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯體的所述接觸界面的至少一部分形成為球形凹凸狀，以形成所述凹陷部。

5.根據權利要求2～4中任一項所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述凹陷部的平均深度為1～10μm。

6.根據權利要求2～5中任一項所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述凹陷部占所述接觸界面的占有率為65％以上的面積比率。

7.根據權利要求2～6中任一項所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述凹陷部在俯視觀察下大致相同大小地形成。

8.根據權利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述結構體是由晶粒形成的突部。

9.根據權利要求8所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述突部的平均高度為0.5～10μm。

10.根據權利要求8或9所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述突部占所述接觸界面的占有率為20％以上的面積比率。

11.根據權利要求8～10中任一項所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述突部在俯視觀察下大致相同大小地形成。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯體埋設有內部電極。

13.一種陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，包括：

生片制作工序，對陶瓷原料進行成型加工來制作陶瓷生片；

陶瓷成型體制作工序，準備將壓制面的至少一部分形成為凸狀的成型用模，用所述成型用模的所述壓制面按壓所述陶瓷生片的至少一方的主面，制作讓至少一部分形成為凹狀的陶瓷成型體；

燒成工序，將所述陶瓷成型體燒成，制作在主面的至少一部分形成被晶粒包圍的凹陷部的陶瓷坯體；和

電極形成工序，在所述陶瓷坯體的所述表面形成電極。

14.一種陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，包括：

生片制作工序，對陶瓷原料進行成型加工，來制作陶瓷生片；

陶瓷成型體制作工序，準備將壓制面的至少一部分形成為凸狀的成型用模，用所述成型用模的所述壓制面按壓所述陶瓷生片的至少一方的主面，制作讓至少一部分形成為凹狀的陶瓷成型體；

燒成工序，燒成所述陶瓷成型體，制作在主面的至少一部分形成突部的陶瓷坯體；和

電極形成工序，在所述陶瓷坯體的所述表面形成電極。