[發明專利]施加臨時粘合層的方法

在審

• 申請號: 201380018729.5
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN104380457A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: J·布格拉夫
• 申請（專利權）人: EV集團E·索爾納有限責任公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C23C16/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;劉春元

1.在載體晶片(1)上面施加臨時粘合層(2，2′，2″)以便通過熔融粘合或陽極粘合與產品晶片(4)臨時粘合的方法，其包括下述步驟，尤其是下述流程：

-在所述載體晶片(1)上面施加適合于熔融粘合或陽極粘合的所述臨時粘合層(2，2′，2″)和

-在施加過程中和/或之后修改所述臨時粘合層(2，2′，2″)，使得所述臨時粘合層(2，2′，2″)的臨時連接是可分開的。

2.根據權利要求1所述的方法，在其中通過表面處理，尤其通過結構化和/或改變臨時粘合層(2，2′，2″)的微結構進行修改。

3.根據權利要求1所述的方法，在其中實現通過CVD過程和/或PVD過程或電化分離的施加。

4.根據權利要求1所述的方法，在其中所述臨時粘合層(2，2′，2″)由SiO₂形成。

5.根據權利要求1所述的方法，在其中修改包括形成與載體晶片(1)平行貫穿臨時粘合層(2，2′，2″)的槽(3)。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，為了修改臨時粘合層(2，2′，2″)在通過CVD-方法施加臨時粘合層(2，2′，2″)的情況下規定臨時粘合層(2，2′，2″)的孔隙度并且在臨時粘合層(2，2′，2″)的細孔中通過在CVD-方法過程中加載氣體使氣體進入細孔內。

7.根據權利要求1所述的方法，在其中在施加和更改之后通過熔融粘合以粘合力F_b實現載體晶片(1)與產品晶片(4)的臨時粘合。

8.根據權利要求7所述的方法，在其中在臨時粘合之后處理產品晶片和在處理期間和/或之后削弱臨時粘合層(2，2′，2″)以便剝離產品晶片(4)。