[發(fā)明專利]具有RGB吸收器的多狀態(tài)IMOD

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380018473.8
• 申請(qǐng)日: 2013-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN104246577B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 建·J·馬;塔利斯·揚(yáng)·常;約翰·賢哲·洪;瓊·厄克·李
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 追蹤有限公司
• 主分類號(hào): G02B26/00
• 分類號(hào): G02B26/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種多狀態(tài)干涉式調(diào)制器IMOD，其包括：

可移動(dòng)反射層；以及

吸收器層堆疊，其包含：第一吸收器層，其具有第一吸收系數(shù)和在第一光波長(zhǎng)下的第一吸收峰；第二吸收器層，其具有第二吸收系數(shù)和在第二光波長(zhǎng)下的第二吸收峰；以及第三吸收器層，其具有第三吸收系數(shù)和在第三光波長(zhǎng)下的第三吸收峰，其中所述第一、第二和第三吸收層具有在至少一個(gè)相鄰吸收器層的吸收峰的中心處下降到接近零的吸收水平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述第一吸收器層安置于對(duì)應(yīng)于與所述第一吸收峰重合的所述第一光波長(zhǎng)的空值的第一位置處，所述第二吸收器層安置于對(duì)應(yīng)于與所述第二吸收峰重合的所述第二光波長(zhǎng)的空值的第二位置處，且所述第三吸收器層安置于對(duì)應(yīng)于與所述第三吸收峰重合的所述第三光波長(zhǎng)的空值的第三位置處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述第一、第二和第三光波長(zhǎng)的所述空值對(duì)應(yīng)于當(dāng)所述可移動(dòng)反射層經(jīng)激活為白色狀態(tài)時(shí)的所得干涉駐波場(chǎng)強(qiáng)度分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述第一吸收器層、所述第二吸收器層或所述第三吸收器層中的至少一者由金屬納米微粒薄膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述第一波長(zhǎng)比所述第二波長(zhǎng)短，且所述第二波長(zhǎng)比所述第三波長(zhǎng)短。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述吸收器堆疊包含安置于所述第一吸收器層與所述第二吸收器層之間的第一大體上透明層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述吸收器堆疊包含安置于所述第二吸收器層與所述第三吸收器層之間的第二大體上透明層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述多狀態(tài)IMOD經(jīng)配置以當(dāng)所述可移動(dòng)反射層距所述吸收器堆疊近似100nm或更大而定位時(shí)實(shí)現(xiàn)白色狀態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述多狀態(tài)IMOD經(jīng)配置以當(dāng)所述可移動(dòng)反射層距所述吸收器堆疊大約10nm而定位時(shí)實(shí)現(xiàn)白色狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述多狀態(tài)IMOD為3狀態(tài)IMOD、5狀態(tài)IMOD或模擬IMOD。

11.根據(jù)權(quán)利要求1到10中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述多狀態(tài)IMOD的白色狀態(tài)大體上類似于CIE標(biāo)準(zhǔn)光源D65的白色狀態(tài)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD，其中所述第一波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于藍(lán)色，所述第二波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于綠色，且所述第三波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于紅色。

13.一種包含根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的多狀態(tài)IMOD的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

顯示器；

處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及

存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

驅(qū)動(dòng)器電路，其經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送到所述顯示器；以及

控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。

16.根據(jù)權(quán)利要求13到15中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。

17.一種多狀態(tài)干涉式調(diào)制器IMOD，其包括：

可移動(dòng)反射層；以及

吸收器層堆疊，其具有：第一吸收器層，其安置于對(duì)應(yīng)于與所述第一吸收器層的第一吸收峰重合的第一光波長(zhǎng)的空值的第一位置處；第二吸收器層，其安置于對(duì)應(yīng)于與所述第二吸收器層的第二吸收峰重合的第二光波長(zhǎng)的空值的第二位置處；以及第三吸收器層，其安置于對(duì)應(yīng)于與所述第三吸收器層的第三吸收峰重合的第三光波長(zhǎng)的空值的第三位置處。