[發明專利]具有波長轉換側面涂層的發光器件

有效

• 申請號: 201380018279.X
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN104205374B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: K.瓦波拉;H.H.蔡
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;汪揚

本發明的實施例包括半導體發光器件、布置在半導體發光器件的頂表面上的第一波長轉換構件和布置在半導體發光器件的側表面上的第二波長轉換構件。第一和第二波長轉換構件包括不同的波長轉換材料。

技術領域

本發明涉及半導體發光器件，諸如與包括諸如磷光體之類的波長轉換材料的側面涂層結合的發光二極管。

背景技術

包括發光二極管（LED）、諧振腔發光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發射激光器的半導體發光器件是當前可用的最高效的光源之一。當前在能夠跨可見光譜進行操作的高亮度發光器件的制造中感興趣的材料體系包括III-V族半導體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其也被稱為III族氮化物材料。典型地，通過借由金屬-有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技術在藍寶石、碳化硅、III族氮化物或其它適合的襯底上外延生長不同組成和摻雜濃度的半導體層的堆疊來制作III族氮化物發光器件。堆疊通常包括形成在襯底之上的摻雜有例如Si的一個或多個n型層、形成在一個或多個n型層之上的有源區中的一個或多個發光層以及形成在有源區之上的摻雜有例如Mg的一個或多個p型層。電接觸形成在n型區和p型區上。

Ⅲ族氮化物器件可以如本領域中已知的那樣與諸如磷光體之類的波長轉換材料結合以形成白光或者其它顏色的光。波長轉換材料吸收由III族氮化物器件的發光區發射的光并且發射不同波長的光。波長轉換的III族氮化物器件可以被用于許多應用，諸如一般照明、用于顯示器的背光、汽車光照和照相機閃光燈，即頻閃燈（strobe）或者其它閃光燈。

發明內容

本發明的目的是提供一種具有波長轉換側面涂層的半導體發光器件。側面涂層可以改善器件的效率。

本發明的實施例包括半導體發光器件、布置在半導體發光器件的頂表面上的第一波長轉換構件以及布置在半導體發光器件的側表面上的第二波長轉換構件。第一和第二波長轉換構件包括不同的波長轉換材料。

根據本發明的實施例的方法包括提供半導體發光器件。第一波長轉換材料布置在半導體發光器件的頂表面之上。在將第一波長轉換材料布置在半導體發光器件的頂表面之上之后，第二波長轉換材料布置在半導體發光器件的側表面上。

附圖說明

圖1圖示了布置在LED的頂表面上的波長轉換層。

圖2圖示了根據本發明的實施例的結構，包括LED、波長轉換層和波長轉換側面涂層。

圖3、4和5圖示了預制的波長轉換結構。

圖6圖示了根據本發明的實施例的方法。

具體實施方式

圖1圖示了諸如LED 10之類的半導體器件，其具有諸如布置在LED的頂表面上的磷光體層之類的波長轉換結構12。波長轉換結構12可以是預制的結構，即從LED 10分離地制作然后附接到LED 10。預制的波長轉換結構12的一個示例是陶瓷磷光體，其在通過引用并入于此的US 7,361,938中被更加詳細地描述。可以通過將粉末磷光體燒結到陶瓷體中來形成陶瓷磷光體。加熱磷光體顆粒直到它們開始融化并且粘結在一起。經加熱的磷光體顆粒然后形成到陶瓷板坯中。陶瓷板坯可以無常規的粘合劑材料，諸如有機粘合劑材料、環氧樹脂、硅樹脂、無機粘合劑材料和玻璃。預制的波長轉換結構12的另一示例是布置在諸如玻璃或硅樹脂之類的透明基質中的磷光體或者其它波長轉換材料。預制的波長轉換結構通常被形成為大片，其然后被分離成具有對應于LED 10的大小的結構。結果，如圖1中所示，預制的波長轉換結構12通常不覆蓋LED 10的側面。