[發明專利]用于處理基板的掃描式噴射器組件模塊無效

申請號：	201380018205.6	申請日：	2013-03-21
公開（公告）號：	CN104471104A	公開（公告）日：	2015-03-25
發明（設計）人：	塞繆爾·S·帕克;李相忍;李一松;梁曉錫	申請（專利權）人：	威科ALD有限公司
主分類號：	C23C16/00	分類號：	C23C16/00
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	魏金霞;王艷江
地址：	美國加利***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于處理掃描噴射器組件模塊
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【說明書】：

相關申請的交叉引用

本申請根據35U.S.C.§119(e)要求于2012年3月29日提交的共同未決美國臨時專利申請No.61/617,525的申請的優先權，該申請的全部內容通過參引的方式并入本文。

技術領域

本公開涉及一種用于通過將氣體噴射到基板上來執行材料在基板上的沉積或者處理基板的表面的噴射器組件模塊。

背景技術

各種各樣的化學工藝被用來使材料沉積到基板上。這些化學工藝包括化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)和分子層沉積(MLD)。CVD是用于將材料層沉積到基板上的最常見的方法。在CVD中，將反應性氣體前驅體混合，然后輸送至反應室，在反應室中，在混合氣體與基板相接觸之后材料層沉積。

ALD是將材料沉積到基板上的另一種方法。ALD使用與物理吸附的分子的鍵合力不同的化學吸附的分子的鍵合力。在ALD中，源前驅體被吸收到基板的表面中，然后用惰性氣體吹掃。因此，源前驅體的物理吸附的分子(通過范德華力結合)會從基板中解吸。然而，源前驅體的化學吸附的分子是共價鍵合的，因此，這些分子被強烈地吸附在基板中，并且不會從基板中解吸。源前驅體的化學吸附的分子(被吸收到基板上的)與反應物前驅體的分子發生反應和/或被反應物前驅體的分子替換。然后，過量的前驅體或物理吸附的分子通過噴射吹掃氣體和/或抽吸反應室去除，從而獲得最終的原子層。

MLD是類似于ALD的薄膜沉積法，但是在MLD中，分子作為單元沉積到基板上，以形成基板上的聚合物膜。在MLD中，在每個反應循環中都發生分子碎片的沉積。對于MLD而言，前驅體通常是同雙功能反應物。MLD法一般用于在基板上沉積聚合物或有機-無機雜化薄膜。

為了在基板上執行空間ALD或MLD沉積法，基板相對于固定噴射器移動以暴露于不同的氣體中。然而，由于基板的尺寸或重量的增大，用于移動基板的裝置和部件也變得過大或者不經濟。

發明內容

實施方式涉及使用第一驅動機構使噴射模塊組件移動越過基板、以及使用第二驅動機構使連接至噴射模塊的一組臂旋轉來處理基板的表面或者在基板上沉積材料層。氣體經由形成在該一組臂中的路徑噴射到具有面向基板的表面的噴射模塊組件中。該一組臂包括至少一個第一臂和第二臂，第二臂的一端通過鉸鏈可旋轉地連接至第一臂的一端。第一臂的另一端可旋轉地連接至噴射模塊，第二臂的另一端可旋轉地連接至固定通口。該組臂通過第二驅動機構使得第一臂的另一端以與噴射模塊組件相同的速度和相同的方向移動的速度旋轉，。

在一個實施方式中，在將基板暴露于來自噴射模塊組件的氣體中之后殘留的過量氣體經由形成在噴射模塊組件和另一固定通口之間的另一組臂中的路徑排出。另一組臂也通過第二驅動機構旋轉。

在一個實施方式中，第一驅動機構包括噴射模塊組件中的線性馬達和用于支承該線性馬達的軸。

在一個實施方式中，第二驅動機構包括馬達、一組臂上的滑輪以及在滑輪之間延伸的纜繩。

在一個實施方式中，鐵磁流體密封件設置為密封在鉸鏈和一組臂之間的間隙。

在一個實施方式中，氣體是用于在基板上執行原子層沉積(ALD)的源前驅體或反應物前驅體。

在一個實施方式中，氣體被傳送至噴射模塊組件的用于接收氣體的室中，以及將所述基板經由形成在所述噴射模塊組件中的通道暴露于所述氣體中。

在一個實施方式中，通過使氣體經過形成在噴射模塊組件的面向基板的表面上的狹窄區域傳遞，能夠促進去除基板上的氣體的物理吸附的分子。該狹窄區域形成在用于接收氣體的室和形成在噴射模塊組件中的排氣腔之間。

在一個實施方式中，狹窄區域的高度小于室的高度的1/3。

在一個實施方式中，狹窄區域的高度小于室的寬度的1/3。

在一個實施方式中，過量氣體經由形成在噴射模塊組件中的通道傳送至另一組臂中的路徑中。

附圖說明

圖1是根據一個實施方式的包括噴射模塊組件的處理裝置的立體圖。