[發明專利]表面處理銅箔有效
| 申請號: | 201380018135.4 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN104220642B | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 福地亮 | 申請(專利權)人: | JX日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號: | C23C28/00 | 分類號: | C23C28/00;B32B15/04;C23C22/24;H05K1/09 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 處理 銅箔 | ||
1.一種表面處理銅箔,其于最外層具有源自于胺基硅烷的硅烷偶合劑處理層、或含有通過干式鍍敷而形成的Si與N的層,銅箔表面的Si附著量為3.1~300μg/dm2,銅箔表面的N附著量為2.5~690μg/dm2。
2.如權利要求1所述的表面處理銅箔,其中,銅箔表面的Si附著量為8.0~300μg/dm2,銅箔表面的N附著量為16.0~690μg/dm2。
3.如權利要求1所述的表面處理銅箔,其中,銅箔表面的Si附著量為20.5~245μg/dm2,銅箔表面的N附著量為16.4~565μg/dm2。
4.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其系可撓性印刷配線板用銅箔。
5.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,銅箔為壓延銅箔或電解銅箔。
6.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其系與液晶聚合物接合的銅箔。
7.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,將電路寬度設為3mm通過壓合而與Kuraray制造的Vecstar(注冊商標)CT-Z的液晶聚合物接合的情形時,根據JIS C6471-1995所進行的90度常態剝離強度為0.3kg/cm以上。
8.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,被用于在超過1GHz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
9.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有選自由粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層及硅烷偶合處理層構成的群中的1種以上的層。
10.如權利要求9項所述的表面處理銅箔,其中,所述防銹處理層包含鉻酸鹽處理層。
11.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有選自由耐熱處理層、防銹處理層及硅烷偶合處理層構成的群中的1種以上的層。
12.如權利要求11項所述的表面處理銅箔,其中,所述防銹處理層包含鉻酸鹽處理層。
13.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有耐熱處理層或防銹處理層,于該耐熱處理層或防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
14.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有耐熱處理層,于該耐熱處理層上具有防銹處理層,于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
15.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
16.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有粗化處理層,于該粗化處理層上具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
17.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有粗化處理層,于該粗化處理層上具有選自由防銹處理層及耐熱處理層構成的群中的1種以上的層,于該選自由防銹處理層及耐熱處理層構成的群中的1種以上的層上具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
18.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有粗化處理層,于粗化處理層上具有耐熱處理層,于該耐熱處理層上具有防銹處理層,于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層,于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
19.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有粗化處理層,該粗化處理層具有一次粒子層與在該一次粒子層上的二次粒子層。
20.如權利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔,其中,于銅箔表面具有粗化處理層,該粗化處理層具有銅的一次粒子層與在該一次粒子層上的由3元系合金構成的二次粒子層,該3元系合金是由銅、鈷及鎳構成。
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