[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380018024.3
• 申請(qǐng)日: 2013-03-18
• 公開（公告）號(hào): CN104303269B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂民雅;仲俁伸一;木下明將;福田憲司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 李逸雪

1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

通過對(duì)靶進(jìn)行濺射而在碳化硅基板上形成歐姆金屬膜的工序，該靶由鎳和使鎳的磁導(dǎo)率降低并且生成碳化物的金屬被調(diào)整至給定的組成比而得到的混合體或合金構(gòu)成；和

對(duì)所述歐姆金屬膜實(shí)施熱處理來進(jìn)行燒成的工序，

使所述鎳的磁導(dǎo)率降低并且生成碳化物的金屬是鈦，所述靶中的鈦比率為8at％以上且50at％以下，

實(shí)施所述熱處理的溫度為1050℃以上。

2.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

在碳化硅基板的第1主面使外延層生長的工序；

通過在所述碳化硅基板的第2主面對(duì)靶進(jìn)行濺射而在所述碳化硅基板上形成歐姆金屬膜的工序，該靶由鎳和使鎳的磁導(dǎo)率降低并且生成碳化物的金屬被調(diào)整至給定的組成比而得到的混合體或合金構(gòu)成；和

對(duì)所述歐姆金屬膜實(shí)施熱處理來進(jìn)行燒成的工序，

使所述鎳的磁導(dǎo)率降低并且生成碳化物的金屬是鈦，所述靶中的鈦比率為8at％以上且50at％以下，

實(shí)施所述熱處理的溫度為1050℃以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

使所述鎳的磁導(dǎo)率降低并且生成碳化物的金屬是從鉬、鎢、鉭、釩、鋯、鈦、鉻、鋁中選定的1種或2種以上的金屬。