[發(fā)明專利]通過輻射交換和/或傳導/對流的超晶格量子阱熱電發(fā)電機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380017756.0 | 申請日： | 2013-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN104205385B | 公開（公告）日： | 2017-11-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 大衛(wèi)·科瑞斯考斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | UD控股有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L35/34 | 分類號： | H01L35/34;H02N11/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262 | 代理人： | 張瑞,鄭霞 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 輻射 交換 傳導 對流 晶格 量子 熱電 發(fā)電機 | ||
1.一種熱電發(fā)電機，包括：
一個帽，該帽被配置為聯(lián)接到一個產(chǎn)熱裝置上以從該產(chǎn)熱裝置接收熱能；以及
懸吊在一個空腔之上的一個吸收器，該吸收器接觸該帽以接收該熱能以及響應于該熱能通過所述吸收器上的超晶格量子阱材料提供一種電輸出用于以下項之一：存儲裝置上存儲該電輸出和用該電輸出驅(qū)動一個第一裝置；
其中該帽包括一個聯(lián)接層，該聯(lián)接層的第一部分用以將懸吊的該吸收器聯(lián)接到該帽上，并且
其中該帽由硅形成以與該聯(lián)接層以及該吸收器擴散這樣使得在其間形成一種共晶接合以將該吸收器聯(lián)接到該帽上。
2.如權(quán)利要求1所述的熱電發(fā)電機，其中該聯(lián)接層包括金和鋁之一。
3.如權(quán)利要求1所述的熱電發(fā)電機，進一步包括位于臂上的熱電材料，所述臂被附接到接收所述超晶格量子阱材料的一部分從而與該吸收器產(chǎn)生溫差的一個基板上。
4.如權(quán)利要求1所述的熱電發(fā)電機，其中該吸收器包括一個用以接觸該帽的有源區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的熱電發(fā)電機，其中該帽包括一個附接部分，該附接部分使用該聯(lián)接層的第一部分附接到該吸收器，并且其中該附接部分遠離該帽朝向該吸收器延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的熱電發(fā)電機，進一步包括一個基板，以用于接收該聯(lián)接層的第二部分和第三部分和使用該聯(lián)接層的第二部分和第三部分將該帽附接到該基板。
7.一種熱電發(fā)電機，包括：
一個帽，該帽被配置為聯(lián)接到一個產(chǎn)熱源上以從該產(chǎn)熱源接收熱能；以及
一個吸收器，包括懸吊在一個空腔之上的一個有源區(qū)，該吸收器接觸該帽以接收該熱能并且響應于該熱能通過所述吸收器上的超晶格量子阱材料產(chǎn)生一種電輸出用于以下項之一：在存儲裝置上存儲該電輸出和用該電輸出驅(qū)動一個第一裝置；
其中該帽包括一個聯(lián)接層，該聯(lián)接層的第一部分用以將該有源區(qū)聯(lián)接到該帽上，并且
其中該帽由硅形成以與該聯(lián)接層以及該有源區(qū)擴散這樣使得在其間形成一種共晶接合以將該有源區(qū)聯(lián)接到該帽上。
8.如權(quán)利要求7所述的熱電發(fā)電機，其中該聯(lián)接層包括金和鋁之一。
9.如權(quán)利要求7所述的熱電發(fā)電機，進一步包括位于臂上的熱電材料，所述臂被附接到接收所述超晶格量子阱材料的一部分從而與該吸收器產(chǎn)生溫差的一種基板上。
10.如權(quán)利要求7所述的熱電發(fā)電機，其中該帽包括一個附接部分，該附接部分使用該聯(lián)接層的第一部分附接到該吸收器，并且其中該附接部分遠離該帽朝向該吸收器延伸。
11.如權(quán)利要求7所述的熱電發(fā)電機，進一步包括一個基板，以用于接收該聯(lián)接層的第二部分和第三部分和使用該聯(lián)接層的第二部分和第三部分將該帽附接到該基板。
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