[發(fā)明專利]保護(hù)元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380017716.6
• 申請(qǐng)日: 2013-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104185889A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 米田吉弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 迪睿合電子材料有限公司
• 主分類號(hào): H01H37/76
• 分類號(hào): H01H37/76;H01H85/11
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜甜

1.一種保護(hù)元件，其特征在于，包括：

絕緣基板；

發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；

絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在上述絕緣基板；

第1和第2電極，層疊在層疊有上述絕緣部件的上述絕緣基板；

發(fā)熱體引出電極，以與上述發(fā)熱體重疊的方式層疊在上述絕緣部件上，并在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及

可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極層疊到上述第1和第2電極，通過(guò)加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，

上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成，

上述低熔點(diǎn)金屬層因上述發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到上述低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述低熔點(diǎn)金屬層由無(wú)鉛焊錫構(gòu)成，上述高熔點(diǎn)金屬層由Ag或者Cu或以Ag或者Cu為主成分的金屬構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1～2中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，在與上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極連接的位置中，上述可熔導(dǎo)體以低熔點(diǎn)金屬連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為高熔點(diǎn)金屬層、外層為低熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述低熔點(diǎn)金屬層以至少貫通一部分的上述高熔點(diǎn)金屬層的方式形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述可熔導(dǎo)體是上層為高熔點(diǎn)金屬層、下層為低熔點(diǎn)金屬層的2層結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，在上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極的表面，實(shí)施有Ni/Au鍍層、Ni/Pd鍍層或Ni/Pd/Au鍍層的任一種鍍層處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，在上述發(fā)熱體與上述絕緣基板之間設(shè)有絕緣部件層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于，上述低熔點(diǎn)金屬層的體積大于上述高熔點(diǎn)金屬層的體積。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)元件，其中，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，成為內(nèi)層的上述低熔點(diǎn)金屬層的整個(gè)面被上述高熔點(diǎn)金屬層包覆。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求11所述的保護(hù)元件，其中，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在上述第1和第2電極上經(jīng)由導(dǎo)電性膏連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求11所述的保護(hù)元件，其中，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在上述第1和第2電極上通過(guò)焊接連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求11所述的保護(hù)元件，其中，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在成為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層的表面包覆有上述高熔點(diǎn)金屬層，在該高熔點(diǎn)金屬層的表面包覆有第2低熔點(diǎn)金屬層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求11所述的保護(hù)元件，其中，上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，上述低熔點(diǎn)金屬層與上述高熔點(diǎn)金屬層的層厚比為2.1：1～100：1。