[發(fā)明專利]碳化硅半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380017424.2
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN104205339B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發(fā)明（設計）人: 和田圭司;日吉透;增田健良
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種碳化硅半導體器件，包括：

碳化硅襯底，所述碳化硅襯底包括第一導電類型的第一層、設置在所述第一層上的第二導電類型的第二層、和設置在所述第二層上并且摻雜有用于提供所述第一導電類型的雜質的第三層，所述碳化硅襯底具有被形成為穿過所述第三層和所述第二層以到達所述第一層的溝槽，所述第一層在離開所述第一層中的所述溝槽的位置具有所述雜質的濃度峰值；

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜覆蓋所述溝槽；和

柵電極，所述柵電極設置在所述柵極絕緣膜上，所述柵電極在所述柵極絕緣膜介于所述柵電極和所述第二層之間的情況下面向所述第二層的表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中

所述第二層在離開所述第二層中的所述溝槽的位置具有所述雜質的濃度峰值。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的碳化硅半導體器件，其中

在所述溝槽的底部處的所述第一層中的所述雜質的濃度不小于所述第一層中所述雜質的濃度的最小值，并且不大于所述最小值的110％。

4.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中

在所述溝槽的底部，所述雜質的所述濃度峰值的分布具有不小于1×10¹¹/cm²的劑量。

5.根據(jù)權利要求1至4中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中

所述碳化硅襯底是由具有多型4H的六方晶結構的碳化硅制成的。

6.根據(jù)權利要求5所述的碳化硅半導體器件，其中

所述第二層的所述表面包括具有{0-33-8}的面取向的第一面。

7.根據(jù)權利要求6所述的碳化硅半導體器件，其中

所述表面微觀上包括所述第一面，并且進一步微觀上包括具有{0-11-1}的面取向的第二面。

8.根據(jù)權利要求7所述的碳化硅半導體器件，其中

所述表面的所述第一和第二面形成具有{0-11-2}的面取向的組合面。

9.根據(jù)權利要求8所述的碳化硅半導體器件，其中

所述表面宏觀上具有相對{000-1}面的62°±10°的偏離角。