[發(fā)明專利]選擇性外延生長裝置及集群設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380017310.8 | 申請日: | 2013-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN104246977B | 公開(公告)日: | 2016-10-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸用城;李成光;金東烈;金基勛 | 申請(專利權)人: | 國際電氣高麗株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王衛(wèi)忠 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 選擇性 外延 生長 裝置 集群 設備 | ||
1.一種選擇性外延生長裝置,其特征在于,包括:
工藝管,包括內(nèi)管和包圍所述內(nèi)管的外管,所述內(nèi)管收容用于收納多個基板的基板搭載單元,
加熱組件,包圍所述工藝管,
側(cè)部噴嘴部,鉛垂設置于所述工藝管的內(nèi)側(cè);
所述側(cè)部噴嘴部包括第一側(cè)部噴嘴及第二側(cè)部噴嘴,所述第一側(cè)部噴嘴噴射用于選擇性外延生長的蝕刻氣體,所述第二側(cè)部噴嘴噴射用于選擇性外延生長的沉積氣體。
2.如權利要求1所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述側(cè)部噴嘴部還包括多個側(cè)簾噴嘴,所述多個側(cè)簾噴嘴隔著所述第一側(cè)部噴嘴并排配置在該第一側(cè)部噴嘴的兩側(cè),并且,所述多個側(cè)簾噴嘴為了提高從所述第一側(cè)部噴嘴噴射出的第一工藝氣體的直線前進特性而噴射非活性氣體。
3.如權利要求1或2所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,還包括載板旋轉(zhuǎn)部,該載板旋轉(zhuǎn)部用于使所述基板搭載單元旋轉(zhuǎn)。
4.如權利要求1或2所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述側(cè)部噴嘴部還包括預沉積噴嘴,該預沉積噴嘴用于對所述內(nèi)管內(nèi)部進行預涂覆。
5.如權利要求1或2所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述側(cè)部噴嘴部還包括下部清洗噴嘴,在清洗所述內(nèi)管內(nèi)部時,所述下部清洗噴嘴清洗所述內(nèi)管的下端部。
6.如權利要求5所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述下部清洗噴嘴的長度比其他側(cè)部噴嘴的長度短。
7.如權利要求1所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述第一側(cè)部噴嘴和第二側(cè)部噴嘴中的至少一個包括多個區(qū)間噴嘴,所述多個區(qū)間噴嘴分別對所述基板搭載單元的長度方向上的至少兩個區(qū)間噴射氣體。
8.如權利要求7所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,就所述多個區(qū)間噴嘴而言,為了使噴嘴內(nèi)部中的氣體停滯時間相同,所述多個區(qū)間噴嘴中的負責所述基板搭載單元的下側(cè)區(qū)間的區(qū)間噴嘴具有雙重管結(jié)構。
9.如權利要求7所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,就所述多個區(qū)間噴嘴而言,為了使噴嘴內(nèi)部中的氣體停滯時間相同,在所述多個區(qū)間噴嘴中的負責所述基板搭載單元的下側(cè)區(qū)間的區(qū)間噴嘴設置有用于抑制氣體流動的限制結(jié)構體。
10.如權利要求1或2所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述內(nèi)管形成為上部封閉的圓頂形狀,在所述內(nèi)管的一側(cè)面還包括切開部,該切開部與所述第一側(cè)部噴嘴設置于同一直線上。
11.如權利要求10所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,所述切開部形成為隨著從下端靠近上端而寬度逐漸變寬的倒三角形、隨著從下端靠近上端而寬度逐漸變窄的三角形、上下不對稱的形狀或者分別與所述第一側(cè)部噴嘴的多個噴射孔相向的獨立孔形狀。
12.如權利要求3所述的選擇性外延生長裝置,其特征在于,
包括控制部,該控制部用于控制所述載板旋轉(zhuǎn)部的動作,
所述控制部根據(jù)所述側(cè)部噴嘴部的各個氣體供應階段的時間,對所述載板旋轉(zhuǎn)部的旋轉(zhuǎn)速度進行控制。
13.一種集群設備,用于處理基板,其特征在于,包括:
設備前端模塊,具有多個裝載端口,搭載有多個基板的卡匣放置于該多個裝載端口;
第一負荷固定艙,通過閘閥與所述設備前端模塊相連接,并且,該第一負荷固定艙的內(nèi)部空間能夠在大氣壓和真空壓之間進行選擇性轉(zhuǎn)換;
傳送室,通過閘閥與所述第一負荷固定艙相連接,并且具有用于搬運基板的搬運裝置;
多個第二負荷固定艙,通過閘閥與所述傳送室相連接,并且具有用于批量搭載多個基板的基板搭載單元;
多個工藝腔室,分別配置在所述多個第二負荷固定艙的上部,用于對搭載于所述基板搭載單元的多個基板進行工藝處理。
14.如權利要求13所述的集群設備,其特征在于,
所述工藝腔室包括:
工藝管,具有內(nèi)管和包圍所述內(nèi)管的外管,所述內(nèi)管用于收容所述基板搭載單元;
旋轉(zhuǎn)部,用于使所述基板搭載單元旋轉(zhuǎn);
加熱組件,包圍所述工藝管;
第一側(cè)部噴嘴及第二側(cè)部噴嘴,鉛垂設置于所述工藝管的內(nèi)側(cè),所述第一側(cè)部噴嘴噴射用于選擇性外延生長的蝕刻氣體,所述第二側(cè)部噴嘴噴射用于選擇性外延生長的沉積氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





