[發明專利]芯片接合用導電性糊及利用該導電性糊的芯片接合方法

在審

• 申請號: 201380017110.2
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN104205312A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 小柏俊典;鹽屋晶和;宮入正幸
• 申請（專利權）人: 田中貴金屬工業株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01B1/00;H01B1/22
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 金龍河;穆德駿

1.一種導電性糊，其為由金屬粉末和有機溶劑構成的芯片接合用導電性糊，其中，所述金屬粉末由選自純度為99.9質量％以上、平均粒徑為0.01μm～1.0μm的銀粉、鈀粉、銅粉中的一種以上的金屬粒子和包覆所述金屬粒子的至少一部分的由金構成的包覆層構成。

2.如權利要求1所述的芯片接合用導電性糊，其中，包覆層的厚度為0.002μm～0.3μm。

3.如權利要求1或2所述的芯片接合用導電性糊，其中，構成包覆層的金屬粒子的含量相對于糊重量的比例為70～99質量％。

4.一種芯片接合方法，其為將接合構件往襯底上進行芯片接合的方法，其包括：

在所述襯底或所述接合構件上涂布權利要求1～3中任一項所述的導電性糊的工序；和

在襯底上配置接合構件后，在從單向或雙向進行加壓的同時進行加熱來進行接合的工序。

5.如權利要求4所述的芯片接合方法，其中，接合時的加熱溫度為80～300℃的溫度。