[發(fā)明專利]粒子膜層積裝置及使用該裝置的粒子膜層積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380017086.2
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN104204278B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 內(nèi)山直樹;金井友美
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社渥美精機(jī)
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/24;C23C14/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 劉曉迪

1.一種粒子膜層積裝置，其特征在于，具有：

納米粒子生成室，其配設(shè)應(yīng)被加熱的金屬材料，生成所述金屬材料的納米粒子；

納米構(gòu)造體生成室，其配設(shè)應(yīng)被加熱的樹脂材料，生成所述樹脂材料的納米構(gòu)造體；

層積室，其經(jīng)由粒子連通管及構(gòu)造體連通管分別與所述納米粒子生成室及所述納米構(gòu)造體生成室連接，在基板上將所述納米粒子及所述納米構(gòu)造體成膜并層積；

納米粒子成膜區(qū)域，其在所述成膜室內(nèi)將所述納米粒子成膜；

納米構(gòu)造體成膜區(qū)域，其在所述成膜室內(nèi)將所述納米構(gòu)造體成膜；

移動單元，其使所述基板在所述納米粒子成膜區(qū)域與所述納米構(gòu)造體成膜區(qū)域之間移動；

排氣單元，其對所述層積室進(jìn)行排氣；

冷卻氣體導(dǎo)入單元，其向所述納米粒子生成室及所述納米構(gòu)造體生成室分別導(dǎo)入冷卻氣體，

在所述粒子連通管中防止所述金屬材料的納米粒子的粒子成長。

2.如權(quán)利要求1所述的粒子膜層積裝置，其特征在于，

所述排氣單元對所述層積室進(jìn)行排氣，以使當(dāng)所述納米粒子在所述例子連通管移動時產(chǎn)生的所述納米粒子生成室與所述層積室的壓力差成為防止所述金屬材料的納米粒子的粒子成長的壓力差。

3.如權(quán)利要求1所述的粒子膜層積裝置，其特征在于，

所述粒子連通管僅自所述納米粒子生成室的一端部至所述層積室的一端部進(jìn)行連接。

4.如權(quán)利要求1所述的粒子膜層積裝置，其特征在于，

所述粒子連通管的直徑及長度被在能夠防止所述納米粒子的粒子成長的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。

5.如權(quán)利要求1所述的粒子膜層積裝置，其特征在于，

由所述納米粒子生成室、所述粒子連通管及所述納米粒子成膜區(qū)域形成納米粒子成膜單元，該納米粒子成膜單元設(shè)有多個。

6.如權(quán)利要求5所述的粒子膜層積裝置，其特征在于，

所述移動單元具有一對輥，其由分別配設(shè)在所述納米粒子成膜區(qū)域及所述納米構(gòu)造體成膜區(qū)域的輥構(gòu)成，將環(huán)狀的所述基板卷繞在所述一對輥上。

7.一種粒子膜層積方法，使用權(quán)利要求1所述的粒子膜層積裝置進(jìn)行粒子膜層積，其特征在于，包括：

納米構(gòu)造體生成工序，通過在所述納米構(gòu)造體生成室將所述樹脂材料加熱并使其蒸發(fā)而生成所述納米構(gòu)造體；

納米構(gòu)造體成膜工序，利用所述排氣單元對所述層積室進(jìn)行排氣而在所述層積室與所述納米構(gòu)造體生成室之間設(shè)置壓力差，將所述納米構(gòu)造體通過所述構(gòu)造體連通管導(dǎo)入所述納米構(gòu)造體成膜區(qū)域并將其在配設(shè)于所述納米構(gòu)造體成膜區(qū)域的所述基板上成膜而形成納米構(gòu)造體膜；

行進(jìn)工序，利用所述移動單元使將所述納米構(gòu)造體成膜的所述基板向所述納米粒子成膜區(qū)域移動；

納米粒子生成工序，通過在所述納米粒子生成室將所述金屬材料加熱并使其蒸發(fā)而生成所述納米粒子；

納米粒子成膜工序，利用所述排氣單元對所述層積室進(jìn)行排氣而在所述層積室與所述納米粒子生成室之間設(shè)置壓力差，將所述納米粒子通過所述粒子連通管導(dǎo)入所述納米粒子成膜區(qū)域，在配設(shè)于所述納米粒子成膜區(qū)域的所述基板上成膜的所述納米構(gòu)造體上成膜而形成納米粒子膜；

復(fù)位工序，利用所述移動單元使形成有所述納米粒子膜及所述納米構(gòu)造體膜的所述基板向所述納米構(gòu)造體成膜區(qū)域移動，

在所述粒子連通管中防止所述金屬材料的納米粒子的粒子成長。