[發明專利]半導體裝置、半導體裝置的制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201380016454.1
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN104220926A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 美崎克紀;松原邦夫
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1345;G09F9/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置，其具備基板和在所述基板上形成的薄膜晶體管，

所述薄膜晶體管具有：柵極電極；在所述柵極電極上形成的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成的氧化物半導體層；和與所述氧化物半導體層電連接的源極電極和漏極電極，

所述半導體裝置的特征在于，還具備：

層間絕緣層，該層間絕緣層包括與所述源極電極和所述漏極電極接觸的保護層；

在所述層間絕緣層上形成的第一透明電極；

在所述第一透明電極上形成的電介質層；

在所述電介質層上，以隔著所述電介質層與所述第一透明電極的至少一部分重疊的方式形成的第二透明電極；

與所述柵極電極由相同的導電膜形成的輔助電容配線；

第一連接層，該第一連接層與所述輔助電容配線電連接，并且與所述源極電極或所述漏極電極由相同的導電膜形成；和

第二連接層，該第二連接層與所述第二透明電極由相同的導電膜形成，并且不與所述第二透明電極電連接，

位于所述第一連接層與所述第二連接層之間的絕緣層，具有使所述第二連接層與所述第一透明電極以及所述第一連接層電連接的連接開口部，

在從所述基板的法線方向看時，所述第二連接層和所述連接開口部分別與所述第一連接層的至少一部分重疊，

所述第一透明電極具有在從所述基板的法線方向看時與所述第一連接層重疊的部分，

與所述第一連接層重疊的部分具有在從所述基板的法線方向看時，對稱點位于所述連接開口部內的點對稱的形狀，

所述第一透明電極不與所述第一連接層直接接觸，

所述第一透明電極的一部分與所述第二連接層直接接觸，

所述第一連接層與所述第二連接層直接接觸，

所述第一透明電極通過所述第一連接層以及所述第二連接層與所述輔助電容配線電連接。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第二連接層覆蓋所述連接開口部的側面的至少一部分。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

在與所述基板垂直并且包含所述對稱點的第一截面，所述第一透明電極的一部分與所述第二連接層接觸，

在與所述基板垂直、包含所述對稱點并且與所述第一截面不同的第二截面，所述第一透明電極不與所述第二連接層接觸。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

所述連接開口部包括：在所述保護層形成的第一開口部；和在所述電介質層形成的第二開口部，

所述第二開口部的側面的至少一部分與所述第一開口部的側面對齊。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述層間絕緣層還包括有機絕緣層，

所述有機絕緣層具有在從所述基板的法線方向看時與所述第一連接層重疊的第三開口部，

所述第一開口部和第二開口部的至少一部分形成在所述第三開口部內。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一透明電極覆蓋所述第三開口部的側面的至少一部分。

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有以覆蓋所述氧化物半導體層的溝道區域的方式形成的蝕刻阻擋層，

所述柵極絕緣層形成在所述輔助電容配線上，

所述蝕刻阻擋層形成在所述柵極絕緣層上，

所述柵極絕緣層和所述蝕刻阻擋層具有在從所述基板的法線方向看時與所述輔助電容配線重疊的第四開口部，

在所述第四開口部內，所述柵極絕緣層的側面的至少一部分與所述蝕刻阻擋層的側面對齊，

所述第一連接層覆蓋所述第四開口部中的、所述柵極絕緣層的側面和所述蝕刻阻擋層的側面的至少一部分。