[發明專利]圖像拾取單元和電子設備有效
| 申請號: | 201380016426.X | 申請日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN104205333B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 石渡宏明 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 拾取 單元 電子設備 | ||
1.一種固態圖像拾取單元,包括:
基板;
紅像素,包括設置在該基板中的紅電荷存儲部分,該紅電荷存儲部分保持對具有紅波長的光成分進行光電轉換獲得的電荷;
藍像素,包括設置在該基板中的藍電荷存儲部分,該藍電荷存儲部分保持對具有藍波長的光成分進行光電轉換獲得的電荷;以及
綠像素,包括多個綠電荷存儲部分,該多個綠電荷存儲部分保持對具有綠波長的光成分進行光電轉換獲得的電荷,該多個綠電荷存儲部分沿著該基板的厚度方向設置在該基板中。
2.根據權利要求1所述的固態圖像拾取單元,其中第一綠電荷存儲部分設置在該基板中的一個表面側的區域中,并且第二綠電荷存儲部分設置在該基板中的另一個表面側的區域中。
3.根據權利要求1所述的固態圖像拾取單元,還包括浮置擴散區域部分,該浮置擴散區域部分將該多個綠電荷存儲部分中存儲的電荷轉換成電壓,
其中該綠像素包括轉移晶體管,該轉移晶體管將該多個綠電荷存儲部分中存儲的電荷轉移到該綠像素的浮置擴散區域部分,并且該轉移晶體管的柵極電極包括垂直柵極電極部分,該垂直柵極電極部分形成為在該多個綠電荷存儲部分的整個形成區域上沿著該基板的厚度方向延伸。
4.根據權利要求1所述的固態圖像拾取單元,其中該綠像素的飽和電荷量大于該紅像素的飽和電荷量和該藍像素的飽和電荷量的每一個。
5.根據權利要求1所述的固態圖像拾取單元,其中
該紅像素的該紅電荷存儲部分設置在該基板中該基板的光入射表面側的相反表面側的區域中,并且
該藍像素的該藍電荷存儲部分設置在該基板中該基板的光入射表面側的區域中。
6.根據權利要求5所述的固態圖像拾取單元,其中
該紅像素包括設置在該基板中的該紅電荷存儲部分的光入射側的區域中的雜質區域部分,該雜質區域部分的導電類型與該紅電荷存儲部分的載流子的導電類型相反,并且
該藍像素包括設置在該基板中該藍電荷存儲部分的光入射側的相反側的區域中的雜質區域部分,該雜質區域部分的導電類型與該藍電荷存儲部分的載流子的導電類型相反。
7.根據權利要求1所述的固態圖像拾取單元,還包括:
配線層,形成在該基板的光入射表面的相反側的表面上;以及
浮置擴散區域部分,將該藍電荷存儲部分中存儲的電荷轉換成電壓,
其中該紅像素的該紅電荷存儲部分設置在該基板中該基板的光入射表面側的相反表面側的區域中,
該藍像素的該藍電荷存儲部分設置在該基板中該基板的該光入射側表面側的區域中,并且
該藍像素包括轉移晶體管,該轉移晶體管將該藍電荷存儲部分中存儲的電荷轉移到該藍像素的該浮置擴散區域部分,并且該轉移晶體管的柵極電極包括垂直柵極電極部分,該垂直柵極電極部分形成為沿著該基板的厚度方向從該基板的該光入射側表面的相反側的表面延伸到藍光電轉換區域。
8.根據權利要求7所述的固態圖像拾取單元,還包括轉移晶體管之外的像素晶體管,該像素晶體管在該基板的平面內方向上彼此相鄰的該紅像素、該藍像素和該綠像素當中共享,
其中該像素晶體管設置在該藍像素的形成區域中。
9.根據權利要求8所述的固態圖像拾取單元,還包括浮置擴散區域部分,其將該紅電荷存儲部分中存儲的電荷轉換成電壓,
其中該紅像素的該紅電荷存儲部分設置在該基板的該光入射表面側的相反表面側的區域中,并且
該紅像素包括轉移晶體管,該轉移晶體管將該紅電荷存儲部分中存儲的電荷轉移到該紅像素的該浮置擴散區域部分,并且該轉移晶體管的柵極電極是該基板的該光入射表面的相反側的表面上形成的柵極電極膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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