[發明專利]形成含準金屬材料的沉積系統和方法

無效

• 申請號: 201380016305.5
• 申請日: 2013-02-14
• 公開（公告）號: CN104204289A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 賓·阮;邁克爾·特爾根霍夫
• 申請（專利權）人: 道康寧公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/452
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 高瑜;鄭霞

1.一種用沉積系統形成含準金屬材料的方法，所述沉積系統包括至少一個低容量按需反應器，所述至少一個低容量按需反應器與沉積裝置間接聯接并與所述沉積裝置間接流體連通，所述方法包括以下步驟：

在所述低容量按需反應器中制備準金屬氫化物；

在所述低容量按需反應器中制備的準金屬氫化物被間接輸送至沉積裝置；且

用所述沉積裝置形成含準金屬材料。

2.一種用沉積系統形成含準金屬材料的方法，所述沉積系統包括至少一個低容量按需反應器，所述至少一個低容量按需反應器與沉積裝置聯接并與所述沉積裝置流體連通，所述方法包括以下步驟：

在所述低容量按需反應器中由包括至少一個與準金屬原子鍵合的非氫取代基的前體化合物制備準金屬氫化物；

在所述低容量按需反應器中制備的準金屬氫化物被輸送至所述沉積裝置；以及

用所述沉積裝置形成含準金屬材料。

3.根據權利要求1和2中任一項所述的方法，其中所述沉積系統還包括至少一個處理裝置，所述處理裝置被設置在所述低容量按需反應器和所述沉積裝置之間，聯接至且流體連通于所述低容量按需反應器和所述沉積裝置，以便經由所述處理裝置建立起從所述低容量按需反應器至所述沉積裝置之間的間接聯接和間接流體連通，所述方法還包括在將所述準金屬氫化物送入所述沉積裝置之前處理在所述低容量按需反應器中制備的所述準金屬氫化物的步驟。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述處理裝置包括凈化裝置，所述方法還包括在所述準金屬氫化物送入所述沉積裝置前用所述凈化裝置凈化所述準金屬氫化物的步驟。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述低容量按需反應器與所述沉積裝置直接聯接并直接流體連通，使得所述準金屬氫化物從所述低容量按需反應器直接送入所述沉積裝置。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述低容量按需反應器與所述沉積裝置間接聯接并間接流體連通，使得所述準金屬氫化物從所述低容量按需反應器間接并最終送入所述沉積裝置。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中該低容量按需反應器選自微反應器、等離子反應器、無聲放電反應器、UV反應器，以及它們的組合。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述沉積裝置包括化學氣相沉積裝置，所述化學氣相沉積裝置選自熱化學氣相沉積裝置、等離子體增強化學氣相沉積裝置、光化學氣相沉積裝置、電子回旋共振裝置、感應聯接等離子體裝置、磁約束等離子體裝置和噴射氣相沉積裝置。

9.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述沉積裝置包括物理氣相沉積裝置，所述物理氣相沉積裝置選自濺射裝置、原子層沉積裝置和直流磁控濺射裝置。

10.一種形成含準金屬材料的沉積系統，所述沉積系統包括：

至少一個用于制備準金屬氫化物的低容量按需反應器；以及

與所述至少一個低容量按需反應器間接聯接和間接流體連通的沉積裝置。

11.根據權利要求10所述的沉積系統，所述沉積系統還包括處理裝置，所述處理裝置被設置在所述低容量按需反應器和所述沉積裝置之間，聯接至且流體連通于所述低容量按需反應器和所述沉積裝置，以便經由所述處理裝置建立起從所述低容量按需反應器至所述沉積裝置之間的間接聯接和間接流體連通。

12.根據權利要求11所述的沉積系統，其中所述處理裝置包括凈化裝置、催化反應器，或者它們的組合。

13.根據權利要求10-12中任一項所述的沉積系統，其中，所述低容量按需反應器選自微反應器、等離子反應器、無聲放電反應器、UV反應器，及其組合。

14.根據權利要求10-13中任一項所述的沉積系統，其中所述沉積裝置包括化學氣相沉積裝置，所述化學氣相沉積裝置選自熱化學氣相沉積裝置、等離子體增強化學氣相沉積裝置、光化學氣相沉積裝置、電子回旋共振裝置、感應聯接等離子體裝置、磁約束等離子體裝置和噴射氣相沉積裝置。

15.根據權利要求10-13中任一項所述的沉積系統，其中所述沉積裝置包括物理氣相沉積裝置，所述物理氣相沉積裝置選自濺射裝置、原子層沉積裝置和直流磁控濺射裝置。