[發(fā)明專利]具有射頻(RF)回程路徑的基板支撐件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380016084.1
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN104205319B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發(fā)明（設計）人: 艾倫·里奇;唐尼·揚;偉·W·王;阿南塔克里希納·朱普迪;清·X·源;希蘭庫瑪·薩萬戴亞
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/205;C23C14/50
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種使用于物理氣相沉積腔室的基板支撐件，包含：

介電構件，所述介電構件具有表面以在所述表面上支撐基板；

一或更多個第一導電構件，所述一或更多個第一導電構件設置在所述介電構件之下且具有與所述介電構件相鄰的面對介電構件的表面；以及

第二導電構件，所述第二導電構件設置在所述一或更多個第一導電構件周圍且接觸所述一或更多個第一導電構件，使得由射頻源提供至所述基板的射頻能量通過沿著所述一或更多個第一導電構件的所述面對介電構件的表面且在沿著所述面對介電構件的表面行進之后沿著實質上平行于所述一或更多個第一導電構件的外圍邊緣表面設置的所述第二導電構件的第一表面從所述基板支撐件徑向地向外行進而返回所述射頻源。

2.如權利要求1所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

徑向地向外延伸的第二表面，其中所述射頻能量在沿著所述第二導電構件的所述第一表面行進之后，沿著所述第二導電構件的所述第二表面行進。

3.如權利要求2所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

第三表面，所述第三表面從所述第二導電構件的所述第一表面徑向地向外延伸且被設置在所述第二導電構件的所述第一表面與所述第二表面之間，其中射頻能量在沿著所述第二導電構件的所述第二表面行進之前沿著所述第三表面行進。

4.如權利要求2所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

主體，所述主體設置在所述一或更多個第一導電構件周圍，其中所述主體包括所述第二導電構件的所述第一表面；

徑向地向外延伸的第一唇部，其中所述第一唇部包括所述第二導電構件的所述第二表面。

5.如權利要求4所述的基板支撐件，其中所述第一唇部從所述主體的下端徑向地向外延伸。

6.如權利要求5所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

第二唇部，所述第二唇部從所述主體的上端徑向地向內延伸且覆蓋所述一或更多個第一導電構件的所述面對介電構件的表面的外圍邊緣。

7.如權利要求4所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

第三唇部，所述第三唇部從所述主體的上端徑向地向外延伸且具有設置在所述第二導電構件的所述第一表面與所述第二表面之間的第三表面，其中射頻能量在沿著所述第二導電構件的所述第二表面行進之前沿著所述第三表面行進。

8.如權利要求7所述的基板支撐件，其中所述第三表面至少部分地設置為與所述介電構件的下表面相鄰。

9.如權利要求7所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

伸出部，所述伸出部從所述第三唇部的與主體相對的端向下延伸，其中所述第一唇部從所述伸出部的下端徑向地向外延伸。

10.如權利要求9所述的基板支撐件，其中所述第二導電構件進一步包含：

第四唇部，所述第四唇部從所述主體的下端徑向地向內延伸且在所述一或更多個第一導電構件之下；及

間隙，所述間隙被設置在所述一或更多個第一導電構件的所述外圍邊緣表面與所述主體的所述第一表面之間且通過所述第四唇部形成，其中所述射頻能量通過從所述外圍邊緣表面行進到所述第四唇部的第四表面再行進到所述主體的所述第一表面而行經(jīng)所述間隙。

11.如權利要求2至權利要求10中的任一項權利要求所述的基板支撐件，進一步包含：

設置在所述第二表面上的多個導電元件，其中所述射頻能量從所述第二表面行進進入所述導電元件。

12.如權利要求11所述的基板支撐件，其中每一個導電元件呈環(huán)狀。

13.如權利要求11所述的基板支撐件，其中所述多個導電元件在所述基板支撐件周圍對稱地設置。