[發(fā)明專利]硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液、硫化物半導(dǎo)體薄膜和薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380016074.8 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN104205311A | 公開(公告)日: | 2014-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 伊藤和志;早川明伸;小原峻士;孫仁德 | 申請(專利權(quán))人: | 積水化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/368 | 分類號: | H01L21/368;C01G29/00;C01G30/00;H01L31/0248;H01L51/42 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硫化物 半導(dǎo)體 形成 用涂布液 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液,其特征在于,
含有絡(luò)合物,所述絡(luò)合物包含元素周期表第15族的金屬元素和硫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液,其特征在于,
所述硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液至少由含有元素周期表第15族的金屬元素的含金屬化合物、含硫化合物和有機(jī)溶劑制得。
3.一種硫化物半導(dǎo)體薄膜,其特征在于,
所述硫化物半導(dǎo)體薄膜是通過在基板上涂布權(quán)利要求1或2所述的硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液而制造的。
4.一種薄膜太陽能電池,其特征在于,
將使用權(quán)利要求1或2所述的硫化物半導(dǎo)體形成用涂布液而制得的硫化物半導(dǎo)體用作光電轉(zhuǎn)換層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,
光電轉(zhuǎn)換層還包含與硫化物半導(dǎo)體鄰接的有機(jī)半導(dǎo)體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





