[發(fā)明專利]陶瓷波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板和包括陶瓷波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的光源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380015551.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104205373B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | N.津克;M.勞卡斯;M.A.斯托夫;Y.鄭;A.勒內(nèi)夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆施爾凡尼亞公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 張濤,劉春元 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 波長(zhǎng) 轉(zhuǎn)換 包括 光源 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求題為“CERAMIC WAVELENGTH-CONVERSION PLATES AND LIGHT SOURCES INCLUDING THE SAME”的于2012年3月22日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No.13/427,538的優(yōu)先權(quán),其整體內(nèi)容被通過引用合并到此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開通常涉及固態(tài)光源(諸如發(fā)光二極管(LED)),并且更特別地,涉及包括一個(gè)或更多個(gè)陶瓷波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的LED光源。
背景技術(shù)
LED芯片可以在光譜的特定區(qū)域中生成可見光和不可見光。取決于LED的材料成分,從LED輸出的光可以是例如藍(lán)色、紅色、綠色、不可見紫外(UV)和/或近UV譜區(qū)域中的光。當(dāng)期望構(gòu)建產(chǎn)生與LED的輸出色彩不同的色彩的LED光源時(shí),已知使用光致發(fā)光將具有第一波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的從LED輸出的光(“初級(jí)光”或“激勵(lì)光”)轉(zhuǎn)換為具有第二波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的光(“次級(jí)光”或“發(fā)射光”)。
光致發(fā)光通常牽涉利用波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料(諸如磷或磷的混合物)來吸收更高能量的初級(jí)光。吸收初級(jí)光可以將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料激勵(lì)到更高能態(tài)。當(dāng)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料返回到更低能態(tài)時(shí),其發(fā)射通常與初級(jí)光不同的波長(zhǎng)/波長(zhǎng)范圍的次級(jí)光。次級(jí)光的波長(zhǎng)/波長(zhǎng)范圍可以取決于所使用的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的類型。像這樣,可以通過恰當(dāng)選擇波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料來達(dá)到期望的波長(zhǎng)/波長(zhǎng)范圍的次級(jí)光。這種處理可以被理解為“波長(zhǎng)下轉(zhuǎn)換”,并且與包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料(諸如磷)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)組合以產(chǎn)生次級(jí)光的LED可以被描述為“磷轉(zhuǎn)換的LED”或“波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的LED”。
在已知的配置中,LED管芯(諸如III族氮化物管芯)定位于反射器杯封裝(cup package)和體積(volume)中,并且波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的或包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的保形(conformal)層或薄膜直接沉積在管芯的表面上。在另一已知配置中,可以在固體、自支撐平坦結(jié)構(gòu)(諸如陶瓷板、單晶板或薄膜結(jié)構(gòu))中提供波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。這樣的板在此可以被提及為“波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板”。該板例如可以通過晶片接合、燒結(jié)、膠合等而直接附接到LED。這種配置可以被理解為“芯片級(jí)轉(zhuǎn)換”或“CLC”。替換地,該板可以通過中間元件而被定位得遠(yuǎn)離LED。這樣的配置可以被理解為“遠(yuǎn)程轉(zhuǎn)換”。
取決于從任何芯片輸出的光的期望的遠(yuǎn)場(chǎng)圖案外加轉(zhuǎn)換器配置,與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板關(guān)聯(lián)的一個(gè)缺點(diǎn)可能是:在轉(zhuǎn)換處理期間,特定量的光可能通過轉(zhuǎn)換器的側(cè)邊脫離(側(cè)邊發(fā)射)。側(cè)邊發(fā)射可能造成減少的效率和/或關(guān)于角度的不均勻光分布。另外,特別是在其中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板被用在高亮度/功率應(yīng)用中的實(shí)例中,在任何轉(zhuǎn)換處理期間所生成的熱可能減少系統(tǒng)的效率。
在一些應(yīng)用中,已經(jīng)通過在轉(zhuǎn)換板的側(cè)邊周圍的硅酮層中澆鑄(cast)陶瓷來解決側(cè)邊發(fā)射問題。例如,可以通過將TiO2粉末混合到硅酮中并且然后在LED芯片和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板周圍部署所得到的材料來形成TiO2在硅酮中的澆鑄。澆鑄材料中的硅酮然后可以被固化以在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的發(fā)射表面周圍創(chuàng)建固體反射層。結(jié)果,僅波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的頂部表面可以被暴露于發(fā)射光。發(fā)射到轉(zhuǎn)換材料的側(cè)邊的光被反射材料所反射。
雖然該解決方案可以有效地解決側(cè)邊發(fā)射,但其要求在用在每個(gè)燈封裝中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板周圍的單獨(dú)澆鑄硅酮層中的陶瓷。這可能添加燈制造處理的復(fù)雜度。此外,硅酮材料中的陶瓷可能在澆鑄期間被過度填充,引起其覆蓋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的頂部表面的一部分,并且潛在地減少光輸出。相反地,硅酮材料中的陶瓷可能在澆鑄期間欠填充,留下其中來自波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的側(cè)邊發(fā)射仍為可能的區(qū)。
除了前面提到的光學(xué)問題之外,在硅酮材料中使用陶瓷還可能對(duì)其所合并到的系統(tǒng)的熱管理強(qiáng)加限制。例如,在其中生成顯著量的熱的系統(tǒng)(例如高功率/亮度應(yīng)用)中,可能出現(xiàn)反射層中的硅酮(或其它有機(jī)材料)的熱擊穿。此外,因?yàn)闈茶T中的硅酮(或其它有機(jī)材料)具有低的熱傳導(dǎo)率,所以可能不能將足夠的熱傳導(dǎo)離開LED封裝和/或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板,這可能造成過熱。
附圖說明
應(yīng)參照應(yīng)結(jié)合下面各圖閱讀的下面的詳細(xì)描述,其中,相同標(biāo)號(hào)表示相同部分:
圖1A至圖1C圖示地以截面圖解與本公開一致的示例性波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板;
圖2圖示地圖解與本公開一致的包括多個(gè)轉(zhuǎn)換器的示例性波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的頂視圖。
圖3A至圖3C圖示地圖解根據(jù)本公開的附加示例性波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的頂視圖。
圖4A和圖4B圖示地以截面圖解與本公開一致的包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換板的示例性器件;以及
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奧斯蘭姆施爾凡尼亞公司,未經(jīng)奧斯蘭姆施爾凡尼亞公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380015551.9/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 通信轉(zhuǎn)換方法、轉(zhuǎn)換裝置及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊





